Transphorm, yang Kuasa GaN Semikonduktor pakar, mempunyai model simulasi dan lembaran data awal untuk 1200nyaV GaN-on-Sapphire FET – TP120H070WS FET yang mengambil sampel pada Q1 2024.
It menunjukkan keupayaan Transphorm untuk menyokong sistem kuasa automotif masa hadapan serta 3-fasa kuasa sistem yang biasa digunakan dalam pasaran perindustrian, datacom dan boleh diperbaharui yang luas. 
Aplikasi ini akan mendapat manfaat daripada peranti 1200 V GaN ketumpatan kuasa yang lebih tinggi dan kebolehpercayaan bersama dengan prestasi yang sama atau lebih baik mata kos yang berpatutan.
Transform baru-baru ini mengesahkan prestasi peranti GaN yang lebih tinggi keupayaan dalam pensuisan 5 kW 900 V buck converter pada 100 kHz.
Peranti 1200 V GaN mencapai kecekapan 98.7%, melebihi pengeluaran yang dinilai sama SiC mosfet.
Integrasi menegak, epitaksi pemilikan, dan proses dipatenkan berpasangan membolehkan syarikat membawa ke pasaran GaN berprestasi tertinggi peranti portfolio dengan empat tambahan pembeza utama: Kebolehkilangan, Kebolehpandu, Kebolehreka bentuk dan Kebolehpercayaan.
Spesifikasi Model Peranti Awal dan Akses
Proses GaN-on-Sapphire sedang dalam pengeluaran volum hari ini dalam LED pasaran. Yang 1200 V teknologi memanfaatkan oplatform digunakan dalam portfolio peranti semasa Transphorm.
Utama TP120H070WS peranti spesifikasi termasuk:
70mΩ RDS(hidup)
Biasanya padam
Aliran arus dua arah yang cekap
± 20 Vmax kekukuhan get
Imuniti bunyi pacuan get 4V yang rendah
Sifar QRR
Pakej 3-lead TO-247
. Verilog-A peranti model is disyorkan untuk digunakan dengan SIMetrix Pro v8.5 litar Simulator. A LTSpicemodel sedang dalam pembangunan dan akan dikeluarkan dalam Q4 2023. Pemodelan simulasi membolehkan pengesahan reka bentuk sistem kuasa yang cepat dan cekap sambil mengurangkan dlelaran reka bentuk, masa pembangunan, dan pelaburan perkakasan.
Model peranti fail dan lembaran data boleh dimuat turun di sini:https://www.transphormusa.com/en/products/#models.
Lihat lagi: modul IGBT | Memaparkan LCD | Komponen Elektronik