Transform, GaN gücü Yarıiletken uzmanı, 1200'ü için bir simülasyon modeline ve ön veri sayfasına sahiptir.V Safir üzerinde GaN FET – TP120H070WS 1'ün ilk çeyreğinde örneklenen FET.
It Transphorm'un destekleme yeteneğini gösterir geleceğin otomotiv güç sistemlerinin yanı sıra üç-faz güç kelimesini seçerim Tipik olarak kullanılan sistemler geniş endüstriyel, datacom ve yenilenebilir enerji pazarlarında. 
Bu uygulamalar 1200 V GaN cihazının avantajlarından yararlanacaktır. daha yüksek güç yoğunluğu ve güvenilirlik eşit veya daha iyi performansla birlikte makul maliyet noktaları.
Transform yakın zamanda GaN cihazının daha yüksek performansını doğruladı 5 kW 900 V Buck dönüştürücüde 100 kHz'de anahtarlama yeteneği.
1200 V GaN cihazı %98.7 verimlilik elde ederek benzer derecedeki bir üretim cihazını aştı SiC mosfet.
Dikey entegrasyon, epitaksi sahiplik ve patentli süreç eşlemesi, şirketin pazara en yüksek performanslı GaN'yi sunmasını sağlar cihaz portföy dörtlü ek Başlıca farklılaştırıcı unsurlar: Üretilebilirlik, Sürülebilirlik, Tasarlanabilirlik ve Güvenilirlik.
Ön Cihaz Modeli Özellikleri ve Erişim
Safir üzerinde GaN süreci bugün hacimli üretime geçiyor içinde LED pazar. 1200 V teknoloji o'dan yararlanırpplatform Transphorm'un mevcut cihaz portföyünde kullanılmaktadır.
anahtar TP120H070WS cihaz özellikler şunları içerir:
70mΩ RDS(açık)
normalde kapalı
Verimli çift yönlü akım akışı
± 20 Vmax geçit sağlamlığı
Düşük 4V. geçit sürücüsü gürültüsü bağışıklığı
Sıfır QRR
3 uçlu TO-247 paketi
The Verilog-A cihaz model is ile kullanılması tavsiye edilir SIMetrix profesyonel v8.5 devre Simülatör. A LTSpicemodel geliştirilme aşamasındadır ve Q'da yayınlandı4 2023. simülasyon modelleme d'yi azaltırken hızlı ve verimli güç sistemi tasarımı doğrulamasına olanak tanıre-tasarım yinelemeleri, geliştirme süresi ve donanım yatırımları.
Cihaz modeli Dosyaları ve veri sayfası buradan indirilebilir:https://www.transphormusa.com/en/products/#models.
Daha fazla göster : IGBT modülleri | LCD ekranlar | Elektronik Bileşenler