Onsemi baru-baru ini mengumumkan bahawa ia telah menyelesaikan pemerolehan GT Advanced Technologies (“GTAT”), pengeluar silikon karbida (SiC). Pemerolehan itu meningkatkan keupayaan onsemi untuk mendapatkan dan mengembangkan bekalan SiC.
Pelanggan onsemi akan mendapat manfaat daripada pengalaman luas GTAT dalam pertumbuhan kristal serta keupayaan teknikal dan kepakarannya yang mengagumkan dalam pembangunan SiC sedia wafering. SiC ialah komponen utama semikonduktor generasi akan datang yang memberikan faedah teknikal dan meningkatkan kecekapan sistem dalam banyak aplikasi, termasuk kenderaan elektrik (EV), pengecasan EV dan infrastruktur tenaga. onsemi berhasrat untuk meningkatkan dan mempercepatkan pembangunan SiC GTAT untuk memastikan bekalan pelanggan komponen kritikal dan mengkomersialkan lagi teknologi kuasa pintar.
"Kami sangat teruja untuk menyelesaikan pemerolehan ini, yang membolehkan kami meningkatkan bekalan SiC semasa kami menjalankan misi kami untuk membina masa depan yang mampan," kata Hassane El-Khoury, presiden dan ketua pegawai eksekutif onsemi. “Apabila kita beralih kepada ekonomi bebas karbon, SiC teknologi adalah pemacu utama untuk membolehkan pelepasan sifar dalam kenderaan elektrik kecekapan tinggi, tenaga boleh diperbaharui dan infrastruktur pengecasan. Dengan menyepadukan GTAT, onsemi kini boleh menyediakan penyelesaian kuasa hujung ke hujung daripada pertumbuhan kristal SiC kepada modul kuasa pintar bersepadu sepenuhnya.”
El-Khoury meneruskan, “Kami berbangga mengalu-alukan pekerja GTAT yang sangat berbakat ke dalam keluarga onsemi. Pengalaman dan pandangan mereka dalam ruang SiC tiada duanya, dan kami berharap dapat bekerjasama untuk memacu inovasi baharu yang penting yang penting kepada pertumbuhan ekosistem yang mampan.”
Pemerolehan itu mengukuhkan komitmen onsemi untuk membuat pelaburan yang besar dalam teknologi yang mengganggu, pertumbuhan tinggi untuk memacu pembezaan dan kepimpinan, termasuk dalam ekosistem SiC. onsemi merancang untuk melabur dalam mengembangkan kemudahan pembuatan GTAT, menyokong usaha penyelidikan dan pembangunan untuk memajukan teknologi pertumbuhan kristal SiC 150mm dan 200mm, sambil turut melabur dalam rantaian bekalan SiC yang lebih luas, termasuk kapasiti dan pembungkusan Fab.