Onsemi недавно объявила о завершении приобретения компании GT Advanced Technologies («GTAT»), производителя карбида кремния (SiC). Приобретение расширяет возможности onsemi по обеспечению и увеличению поставок SiC.
Клиенты onsemi получат выгоду от обширного опыта GTAT в выращивании кристаллов, а также от ее впечатляющих технических возможностей и опыта в разработке SiC, готового для изготовления пластин. SiC является ключевым компонентом полупроводников следующего поколения, которые обеспечивают технические преимущества и повышают эффективность системы во многих приложениях, включая электромобили, зарядку электромобилей и энергетическую инфраструктуру. onsemi намеревается масштабировать и ускорять разработку GTAT SiC, чтобы гарантировать клиентам поставку критически важных компонентов и дальнейшую коммерциализацию интеллектуальных технологий питания.
«Мы очень рады завершению этого приобретения, которое позволяет нам увеличить поставки карбида кремния по мере выполнения нашей миссии по построению устойчивого будущего», — сказал Хассан Эль-Хури, президент и главный исполнительный директор onsemi. «Поскольку мы движемся к безуглеродной экономике, SiC technology является ключевым фактором обеспечения нулевых выбросов в высокоэффективных электромобилях, возобновляемых источниках энергии и зарядной инфраструктуре. Интегрировав GTAT, onsemi теперь может предоставлять комплексные решения по электропитанию: от выращивания кристаллов SiC до полностью интегрированных интеллектуальных силовых модулей».
Эль-Хури продолжил: «Мы рады приветствовать невероятно талантливых сотрудников GTAT в семье онсэми. Их опыт и знания в области SiC не имеют себе равных, и мы надеемся на совместную работу по внедрению важных новых инноваций, которые имеют решающее значение для роста устойчивой экосистемы ».
Приобретение укрепляет стремление Onsemi делать значительные инвестиции в прорывные, быстрорастущие технологии, чтобы стимулировать дифференциацию и лидерство, в том числе в экосистеме SiC. onsemi планирует инвестировать в расширение производственных мощностей GTAT, поддерживая научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы по продвижению технологии выращивания кристаллов SiC диаметром 150 и 200 мм, а также инвестировать в более широкую цепочку поставок SiC, включая производственные мощности и упаковку Fab.