Paragraf penghantaran graphene FET

Kemas kini: 20 April 2024 Tags:ekoelelektronikiclttransistor

 Syarikat itu adalah satu-satunya pengeluar besar-besaran elektronik graphene menggunakan graphene bebas pemindahan yang ditanam dengan konvensional semikonduktor proses.

Syarikat itu hari ini membuka kedai dalam talian untuk membolehkan akses global kepada Transistor Kesan Medan (GFET) berasaskan Graphene yang unik.

GFET mempunyai pelbagai kegunaan dalam pembangunan aplikasi ujian industri, perubatan dan kimia. Proses pertumbuhan graphene proprietari Paragraf membolehkan pengeluaran GFET dengan kelebihan berbanding produk pemindahan-graphene kerana ketulenan graphene yang tinggi, kekurangan bahan cemar polimer atau logam dan keakuran lapisan tebal atom tunggal

“Pelancaran penyelesaian GFET Paragraf merupakan perkembangan yang menarik dalam usaha kami untuk menyediakan para saintis dan organisasi di seluruh dunia dengan platform ujian graphene asli yang membolehkan pembangunan ujian biokimia yang boleh dipercayai dan boleh diulang,” kata Mark Davis, Pengarah Paragraf Biosensors. “Dengan keupayaan untuk menghasilkan jumlah GFET yang tinggi setiap bulan, terima kasih kepada faundri Paragraf, GFET-PV01 kini tersedia untuk pelanggan di seluruh dunia dan kami berharap dapat berkhidmat kepada masyarakat.”

Paragraf GFET-PV01 ialah FET berpagar elektrolit, dihasilkan secara besar-besaran dengan teknik proprietari untuk mendepositkan graphene terus pada substrat peranti tanpa pemprosesan pemindahan diperlukan. Ini menyampaikan saluran graphene bebas daripada polimer, molekul asing atau kecacatan lain. GFET-PV01 direka untuk membolehkan medan elektrik homogen semasa operasi. Elektrod gerbang pusat dikelilingi oleh tiga saluran graphene, sama jarak dari pintu. Kedudukan saluran membolehkan pengukuran yang konsisten dan kefungsian manual atau automatik yang boleh dipercayai bagi setiap saluran untuk pemultipleksan dan/atau rujukan dalaman. Lapisan enkapsulasi memudahkan pengendalian cecair semasa digunakan. Peranti ini serasi dengan sistem pemerolehan data yang sedia ada.

Ciri-ciri utama GFET-PV01 Paragraf termasuk:

  • Sensor elektrokimia graphene monolayer tanpa bahan cemar
  • Dihasilkan secara besar-besaran dengan proses semikonduktor standard kepada spesifikasi terkemuka industri
  • Gerbang tengah yang besar, sama jarak dari tiga saluran graphene
  • Direka untuk fungsi automatik atau manual saluran graphene
  • Berkebolehan pengesanan multi-ohmik dan multipleks
  • Serasi dengan sistem pemerolehan data standard