A empresa é a única produtora em massa de eletrônicos de grafeno usando grafeno sem transferência cultivado com convencional Semicondutor processos.
A empresa abriu hoje uma loja online para permitir acesso global ao seu exclusivo transistor de efeito de campo baseado em grafeno (“GFET”).
Os GFETs têm uma ampla gama de utilizações no desenvolvimento de aplicações industriais, médicas e de testes químicos. O processo de crescimento de grafeno proprietário da Paragraf permite a produção de GFETs com vantagens sobre produtos de grafeno de transferência devido à sua alta pureza de grafeno, falta de contaminantes de polímero ou metal e conformidade com camada de espessura de um único átomo
“O lançamento da solução GFET da Paragraf é um desenvolvimento emocionante em nossos esforços para fornecer aos cientistas e organizações em todo o mundo uma plataforma de teste de grafeno imaculada que permite o desenvolvimento de testes bioquímicos confiáveis e repetíveis”, disse Mark Davis, Diretor de Biossensores da Paragraf. “Com a capacidade de produzir de forma confiável grandes volumes de GFETs todos os meses, graças à fundição Paragraf, o GFET-PV01 está agora disponível para clientes em todo o mundo e estamos ansiosos para servir a comunidade.”
O Paragraf GFET-PV01 é um FET controlado por eletrólito, produzido em massa com uma técnica proprietária para depositar grafeno diretamente no substrato do dispositivo, sem necessidade de processamento de transferência. Isto fornece canais de grafeno livres de polímeros, moléculas estranhas ou outros defeitos. O GFET-PV01 foi projetado para permitir um campo elétrico homogêneo durante a operação. Um eletrodo de porta central é cercado por três canais de grafeno, equidistantes da porta. O posicionamento dos canais permite uma medição consistente e uma funcionalização manual ou automatizada confiável de cada canal para multiplexação e/ou referência interna. Camadas de encapsulamento facilitam o manuseio de líquidos durante o uso. O dispositivo é compatível com sistemas de aquisição de dados prontamente disponíveis.
Os principais recursos do GFET-PV01 da Paragraf incluem:
- Sensor eletroquímico de grafeno monocamada, livre de contaminantes
- Produzido em massa com processos de semicondutores padrão de acordo com especificações líderes do setor
- Grande portão central, equidistante de três canais de grafeno
- Projetado para funcionalização automatizada ou manual de canais de grafeno
- Capacidade de detecção multi-ôhmica e multiplex
- Compatível com sistemas de aquisição de dados padrão