Het is gebruikt om de YQ-serie gelijkrichterdiodes te creëren, verkrijgbaar in opbouwpakketten van 0.5 x 1 mm tot TO-263 met vermogens tussen 1A en 30A. De meeste van hen zijn verkrijgbaar met autokwalificatie.
De lekkage is indrukwekkend; zelfs de grootste (YQ30NL10SEFH) lekt slechts 150 μA (25 °C, 100 V) en de kleinste 6 μA. De voorwaartse daling bij nominale stroom schommelt voor de meeste apparaten rond de 0.77 V, hoewel deze varieert van 0.61 tot 0.87 V.
“De MOS-structuur van de geul wordt gecreëerd door een geul te vormen met behulp van polysilicium in de epitaxiale waferlaag om de concentratie van elektrische velden te verminderen [links]”, aldus het bedrijf. “Dit vermindert de weerstand van de epitaxiale waferlaag, waardoor een lagere voorwaartse spanning wordt bereikt. Tegelijkertijd wordt tijdens tegengestelde voorspanning de concentratie van het elektrische veld geminimaliseerd, waardoor de tegenstroom aanzienlijk wordt verminderd.”
In tegenstelling tot typische geul-MOS-structuren waar de omgekeerde hersteltijd slechter is dan bij vlakke typen (rechts) vanwege de grotere parasitaire capaciteit, zo vervolgde het, bereikt de YQ-serie 15 ns door een unieke structuur aan te nemen.
Er zijn snelle schakeltoepassingen voorzien in LED-koplampen voor auto's en DC-DC-converters voor elektrische voertuigen.
De volledige pakketlijst is PMDE (2513/1005), SOD-123FL (PMDU 3516/1408), SOD-128 (4725/1910), TO-277A (6546/2618), TO-252AA (10066/3926) en TO -263AB (151101/5940).
Rohm heeft een interessante toepassingsnota van drie pagina's gemaakt over de YQ-serie