Ele foi usado para criar a série YQ de diodos retificadores, disponíveis em pacotes de montagem em superfície de 0.5 x 1 mm a TO-263 com classificações entre 1A e 30A. A maioria deles está disponível com qualificação automotiva.
O vazamento é impressionante, mesmo o maior (YQ30NL10SEFH) vazando apenas 150μA (25°C, 100V) e o menor 6μA. A queda direta na corrente nominal gira em torno de 0.77 V para a maioria dos dispositivos, embora varie de 0.61 a 0.87 V.
“A estrutura da trincheira MOS é criada formando uma trincheira usando polissilício na camada de wafer epitaxial para mitigar a concentração do campo elétrico [esquerda]”, segundo a empresa. “Isso reduz a resistência da camada do wafer epitaxial, alcançando menor tensão direta. Ao mesmo tempo, durante a polarização reversa, a concentração do campo elétrico é minimizada, diminuindo significativamente a corrente reversa.”
Ao contrário das estruturas MOS de trincheira típicas, onde o tempo de recuperação reversa é pior do que os tipos planares (certo) devido à maior capacitância parasita, continuou, a série YQ atinge 15ns adotando uma estrutura única.
Aplicações de comutação de alta velocidade estão previstas em faróis LED automotivos e conversores CC-CC de veículos elétricos.
A lista completa de pacotes é PMDE (2513/1005), SOD-123FL (PMDU 3516/1408), SOD-128 (4725/1910), TO-277A (6546/2618), TO-252AA (10066/3926) e TO -263AB (151101/5940).
Rohm criou uma interessante nota de aplicação de três páginas sobre a série YQ