Semikron SKKD 46/12 IGBT-module – Een uitgebreide gids Ontdek de kenmerken en specificaties van de Semikron SKKD 46/12 IGBT-module, een hoogwaardige diode met een halfgeleiderstructuur in een dubbele serie. Deze module, vervaardigd door Semikron, is ontworpen voor verschillende toepassingen en garandeert betrouwbaarheid en efficiëntie. Belangrijkste specificaties: Aanvullende informatie: Deze Semikron-diode, met zijn […]
Fuji 1MBI300N-120 IGBT-module: Kenmerken: Toepassingen: Maximale waarden en kenmerken:
De FS450R12KE3 is een IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) ontworpen voor toepassingen met hoog vermogen. Dit zijn de belangrijkste specificaties: Deze IGBT-module is ontworpen om hoge spanningen (tot 1200 V) en hoge stromen (tot 600 A) aan te kunnen. De Hex-configuratie geeft aan dat deze meerdere IGBT's in een zeshoekige opstelling omvat. Het EconoPACK+ pakket […]
Productinformatie: Kenmerken: Richtlijnen voor opslag en transport:
De Fuji 6MBP300KA060-01 is een krachtige IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) ontworpen voor zware toepassingen. Hier zijn de specificaties en kenmerken van deze module: Maximale waarden en kenmerken (Tc=25°C tenzij anders gespecificeerd): Deze module is in staat om extreem hoge stroom- en spanningsniveaus aan te kunnen, waardoor hij geschikt is voor toepassingen zoals industriële motoraandrijvingen, [ …]
De Semikron SKKD380/18 is een IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor), vervaardigd door Semikron. Hier vindt u wat informatie over deze module:
De FUJI 2MBI600VN-120-50 is een IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) die is ontworpen voor toepassingen met hoog vermogen die snelle schakeling en spanningsaandrijving vereisen. Hier zijn de specificaties en kenmerken van deze IGBT-module: Kenmerken: Toepassingen: De FUJI 2MBI600VN-120-50 IGBT-module kan in verschillende toepassingen worden gebruikt, waaronder: Maximale waarden en kenmerken (bij Tc=25°C tenzij anders gespecificeerd):
Fuji 2MBI200U4H-120 IGBT-module. Deze module wordt gebruikt in vermogenselektronicatoepassingen voor het schakelen van hoge stromen en spanningen. Dit zijn de belangrijkste specificaties: Absolute maximale beoordelingen: Aanvullende informatie:
De Fuji 2MBI600VE-120 is een IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) met specifieke kenmerken en mogelijkheden, ontworpen voor verschillende vermogenselektronica-toepassingen. Belangrijkste kenmerken: Toepassingen: Maximale waarden en kenmerken (Tc=25°C tenzij gespecificeerd): De Fuji 2MBI600VE-120 IGBT-module is ontworpen voor toepassingen met hoog vermogen, zoals motoraandrijvingen, versterkers, voedingen en industriële machines. Zijn snelle […]