1.2kV 80mΩ SiC mosfet vem em TO247-4

Atualização: 11 de agosto de 2023
1.2kV 80mΩ SiC mosfet vem em TO247-4

Apelidado de DMWS120H100SM4, seus pacotes transferem calor a 0.6°C/W “tornando-o adequado para aplicações em ambientes hostis”, de acordo com a empresa,

Rds(on) é tipicamente 80mΩ (Vg=15V, 100mΩmax) e a carga do gate é tipicamente 52nC (-4/+15Vg, 800Vd, 20Ad).

Sua capacidade máxima de 37A é a 25°C, que cai para 23.5A a 100°C.

A embalagem é TO247-4, permitindo que o quarto pino (conectado à fonte) seja usado para melhorar a fidelidade do acionamento do portão.

A página do produto DMWS120H100SM4 pode ser encontrada aqui