El mosfet SiC de 1.2 kV y 80 mΩ viene en TO247-4

Actualización: 11 de agosto de 2023
El mosfet SiC de 1.2 kV y 80 mΩ viene en TO247-4

Apodado DMWS120H100SM4, sus paquetes transfieren calor a 0.6 °C/W "lo que lo hace ideal para aplicaciones que se ejecutan en entornos hostiles", según la empresa.

Rds(on) es típicamente 80mΩ (Vg=15V, 100mΩmax) y la carga de puerta es típicamente 52nC (-4/+15Vg, 800Vd, 20Ad).

Su capacidad máxima es de 37A a 25°C, que baja a 23.5A a 100°C.

El paquete es TO247-4, lo que permite usar el cuarto pin (conectado a la fuente) para mejorar la fidelidad del controlador de compuerta.

La página del producto DMWS120H100SM4 se puede encontrar aquí