31º de março de 2023 /Semimídia/ — A Diodes Incorporated lançou recentemente a mais recente adição ao seu portfólio de produtos de carboneto de silício (SiC), o DMWS120H100SM4 N-channel SiC mosfet. Este dispositivo atende à demanda por maior eficiência e maior densidade de energia para aplicações como acionamentos de motores industriais, inversores solares, fontes de alimentação de data centers e telecomunicações, conversores DC-DC e carregadores de bateria para veículos elétricos (EV).
O DMWS120H100SM4 opera em alta Voltagem (1200 V) e corrente de drenagem (até 37 A), mantendo baixa condutividade térmica (RθJC = 0.6°C/W), tornando-o adequado para aplicações executadas em ambientes severos. Esse MOSFET tem um baixo RDS(ON) (típico) de apenas 80mΩ (para um acionamento de porta de 15V) para minimizar perdas de condução e fornecer maior eficiência. Além disso, o dispositivo possui uma carga de porta de apenas 52nC para reduzir as perdas de comutação e diminuir a temperatura do pacote.
Este produto é o primeiro SiC MOSFET no mercado em um pacote TO247-4. O pino de detecção Kelvin adicional pode ser conectado à fonte do MOSFET para otimizar o desempenho de comutação, permitindo assim densidades de energia ainda maiores.
O DMWS120H100SM4 está disponível por US$ 21.50 em quantidades de 20 peças. Para mais informações por favor visite https://www.diodes.com/part/DMWS120H100SM4.