#KSH112-ITU FAIRCHILD KSH112-ITU Nova potência bipolar Transistor, 2A I (C), 100 V V (BR) CEO, 1 elemento, NPN, silício, TO-251, plástico / epóxi, 3 pinos, IPAK-3, imagens KSH112-ITU, preço KSH112-ITU, # KSH112- Fornecedor ITU
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/ksh112-itu.html
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Número da peça do fabricante: KSH112ITU
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: FAIRCHILD Semicondutores CORP.
Código do pacote da peça: TO-251
Descrição do pacote: IPAK-3
Contagem de pinos: 3
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: Fairchild Semicondutores Corporação
Classificação de risco: 5.7
Coletor Atual-Máx (IC): 2 A
Coletor-Emissor Voltagem-Máx: 100 V
Configuração: DARLINGTON COM DIODO INCORPORADO E Resistor
Ganho de corrente DC-Min (hFE): 200
Código JEDEC-95: TO-251
Código JESD-30: R-PSIP-T3
Código JESD-609: e3
Número de elementos: 1
Número de terminais: 3
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: IN-LINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): NÃO APLICÁVEL
Polaridade / tipo de canal: NPN
Potência Dissipação-Máx (Abs): 20 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Outros Transistores
Montagem em superfície: NÃO
Acabamento Terminal: Estanho Mate (Sn)
Formulário do Terminal: THROUGH-HOLE
Posição terminal: SINGLE
Horário
Transistor bipolar de potência, 2A I (C), 100 V V (BR) CEO, 1 elemento, NPN, silício, TO-251, plástico / epóxi, 3 pinos, IPAK-3
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: FAIRCHILD Semicondutores CORP.
Código do pacote da peça: TO-251
Descrição do pacote: IPAK-3
Contagem de pinos: 3
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: Fairchild Semicondutores Corporação
Classificação de risco: 5.7
Coletor Atual-Máx (IC): 2 A
Coletor-Emissor Voltagem-Máx: 100 V
Configuração: DARLINGTON COM DIODO INCORPORADO E Resistor
Ganho de corrente DC-Min (hFE): 200
Código JEDEC-95: TO-251
Código JESD-30: R-PSIP-T3
Código JESD-609: e3
Número de elementos: 1
Número de terminais: 3
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: IN-LINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): NÃO APLICÁVEL
Polaridade / tipo de canal: NPN
Potência Dissipação-Máx (Abs): 20 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Outros Transistores
Montagem em superfície: NÃO
Acabamento Terminal: Estanho Mate (Sn)
Formulário do Terminal: THROUGH-HOLE
Posição terminal: SINGLE
Horário
Transistor bipolar de potência, 2A I (C), 100 V V (BR) CEO, 1 elemento, NPN, silício, TO-251, plástico / epóxi, 3 pinos, IPAK-3