Pasternack lançou uma nova série de amplificadores de baixo ruído que são ideais para uso em ECM, rádio de micro-ondas, VSAT, SATCOM, radar, sistemas espaciais, defesa eletrônica, P&D, protótipo / prova de conceito e aplicações de teste e medição.
Sua nova série de amplificadores de baixo ruído com proteção de entrada possui GaN Semicondutores tecnologia o que oferece proteção robusta de energia de entrada. Os semicondutores GaN garantem desempenho de última geração com uma excelente relação potência-volume, perfeita para aplicações de banda larga de alta potência. Esses amplificadores fornecem excelentes propriedades térmicas e uma degradação notavelmente maior Voltagem que tolera níveis de sinal de potência de entrada de RF mais altos, preservando o desempenho excelente da figura de baixo ruído. Isso é alcançado sem a necessidade de um limitador de proteção de entrada o circuito que é necessário para outros Semicondutor tecnologias e poderia contribuir para níveis de ruído mais elevados.
Esses novos LNAs protegidos de entrada cobrem as desejáveis bandas de frequência de microondas e ondas mm que complementam o portfólio existente da empresa de LNAs protegidos de entrada que incluem frequências de RF mais baixas. Os recursos e opções abrangem frequências de banda larga que variam de 1 GHz a 23 GHz, alto ganho de até 46dB típico, valores de baixo ruído tão baixos quanto 1.5dB típico e alta potência de entrada de RF de até 10W CW. Além disso, esses LNAs possuem projetos coaxiais compactos e conectores SMA resistentes e de grau mil.
“Nossa nova e inovadora linha de amplificadores de baixo ruído com proteção de entrada oferece o benefício desejável da tecnologia de semicondutor GaN robusta para suportar o manuseio de alta potência de entrada de RF sem incorrer em danos. Os projetistas de RF acharão esses amplificadores de baixo ruído GaN líderes da indústria extremamente úteis em cadeias de recepção que podem ser sensíveis a condições de sinal de entrada de RF mais altas ”, disse Tim Galla, gerente de linha de produtos.