As informações que você forneceu são sobre um IGBT (Transistor bipolar de porta isolada) módulo da Semikron com o número do modelo SKKD 75F12. Aqui estão alguns de seus recursos, aplicações e classificações máximas:
Características:
- Baixo VCE(sat): Isso indica que o módulo IGBT possui baixa tensão de saturação quando está ligado, o que reduz as perdas de energia e melhora a eficiência.
- Pacote compacto: O módulo foi projetado em um pacote compacto, tornando-o adequado para aplicações onde o espaço é limitado.
- Montagem em placa de PC: Ele pode ser montado em uma placa de circuito impresso (PCB), que é um método comum para integração de componentes eletrônicos.
- Ponte de Diodo Conversor: O módulo provavelmente inclui uma ponte de diodos, que pode ser usada em circuitos conversores para converter CA em CC ou vice-versa.
- Circuito de Freio Dinâmico: Esse recurso é frequentemente usado em aplicações de controle de motores para fornecer frenagem dinâmica, o que ajuda a interromper rapidamente a rotação de um motor.
Aplicações:
- Inversor para acionamento do motor: Este módulo IGBT pode ser usado em aplicações de controle e acionamento de motores, como controle de velocidade e direção de motores elétricos.
- Amplificador de servo drive AC e DC: Ele pode ser usado em amplificadores para servoacionamentos CA e CC, que são usados em sistemas de controle de precisão.
- Fonte de alimentação ininterrupta (UPS): Esses módulos podem ser empregados em sistemas UPS para fornecer energia de reserva em caso de interrupções elétricas.
Classificações e características máximas:
- Tensão Coletor-Emissor (Vces): A tensão máxima coletor-emissor é 1200V, que é a tensão mais alta que o módulo pode suportar no estado desligado.
- Tensão Gate-Emissor (VGES): A tensão do emissor-porta não deve exceder ±20V.
- Corrente do Coletor (Ic): A corrente máxima do coletor é 34A, que é a corrente que o módulo pode suportar em condições normais de operação.
- Corrente do Coletor (Icp): O módulo pode lidar com correntes de pico de curta duração de até 75A.
- Dissipação de energia do coletor (Pc): A dissipação máxima de potência do módulo é 1270W. Esta é a quantidade de energia que o módulo pode dissipar com segurança como calor sob condições normais de operação.
- Tensão Coletor-Emissor (VCES): Esta é uma classificação diferente do Vces e é especificada em 2500V.
- Temperatura da Junção Operacional (Tj): O módulo pode operar com segurança em temperaturas de até +150°C.
- Temperatura de armazenamento (Tstg): O módulo pode ser armazenado em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
- Torque do parafuso de montagem: O torque especificado para parafusos de montagem é 3.5 N·m.
Este módulo IGBT foi projetado para aplicações de alta potência e é importante operá-lo dentro dos limites especificados para garantir funcionalidade e longevidade adequadas. Certifique-se de seguir as diretrizes e folhas de dados do fabricante para obter informações e especificações mais detalhadas.