Módulo IGBT Semikron SKKD 46/12 - Um guia abrangente Explore os recursos e especificações do módulo IGBT Semikron SKKD 46/12, um diodo de alto desempenho com estrutura semicondutora em série dupla. Fabricado pela Semikron, este módulo foi projetado para diversas aplicações, garantindo confiabilidade e eficiência. Especificações principais: Informações adicionais: Este diodo Semikron, com seu [...]
Módulo IGBT Fuji 1MBI300N-120: Características: Aplicações: Avaliações e características máximas:
O FS450R12KE3 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de alta potência. Aqui estão as principais especificações: Este módulo IGBT foi projetado para lidar com altas tensões (até 1200 V) e altas correntes (até 600 A). A configuração Hex indica que compreende vários IGBTs em um arranjo hexagonal. O pacote EconoPACK+ […]
Informações sobre o produto: Características: Diretrizes de armazenamento e transporte:
O Fuji 6MBP300KA060-01 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência projetado para aplicações pesadas. Aqui estão as especificações e características deste módulo: Classificações e características máximas (Tc = 25°C, salvo especificação em contrário): Este módulo é capaz de lidar com níveis de corrente e tensão extremamente altos, tornando-o adequado para aplicações como acionamentos de motores industriais, [ …]
O Semikron SKKD380/18 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) fabricado pela Semikron. Aqui estão algumas informações sobre este módulo:
O FUJI 2MBI600VN-120-50 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de alta potência que requerem comutação de alta velocidade e acionamento de tensão. Aqui estão as especificações e recursos deste módulo IGBT: Características: Aplicações: O módulo IGBT FUJI 2MBI600VN-120-50 pode ser usado em diversas aplicações, incluindo: Classificações e características máximas (em Tc=25°C, salvo especificação em contrário):
Módulo IGBT Fuji 2MBI200U4H-120. Este módulo é usado em aplicações de eletrônica de potência para comutação de altas correntes e tensões. Aqui estão as principais especificações: Avaliações máximas absolutas: Informações adicionais:
O Fuji 2MBI600VE-120 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com recursos e capacidades específicas projetados para diversas aplicações de eletrônica de potência. Principais recursos: Aplicações: Classificações e características máximas (Tc = 25 ° C, a menos que especificado): O módulo IGBT Fuji 2MBI600VE-120 foi projetado para lidar com aplicações de alta potência, como acionamentos de motores, amplificadores, fontes de alimentação e máquinas industriais. Sua alta velocidade [...]