O FUJI 2MBI600VN-120-50 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de alta potência que requerem comutação de alta velocidade e acionamento de tensão. Aqui estão as especificações e recursos deste módulo IGBT: Características: Aplicações: O módulo IGBT FUJI 2MBI600VN-120-50 pode ser usado em diversas aplicações, incluindo: Classificações e características máximas (em Tc=25°C, salvo especificação em contrário):
Módulo IGBT Fuji 6MBI450VM-170-50: liberando recursos avançados Descubra o módulo IGBT Fuji 6MBI450VM-170-50, uma potência de desempenho e eficiência feita sob medida para suas diversas necessidades elétricas. Principais recursos que o diferenciam: Aplicativos que se beneficiam: Avaliações máximas e características essenciais: Experimente o poder da Fuji: O módulo IGBT 6MBI450VM-170-50 da Fuji oferece recursos incomparáveis para [...]
O STARPOWER GD50PIY120C5SN é um módulo de potência IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado pela STARPOWER. Destina-se a aplicações que exigem baixa perda de condução, robustez contra curto-circuito e alta confiabilidade. Aqui está um resumo de seus recursos, aplicações e especificações: Descrição geral: O módulo de potência IGBT STARPOWER GD50PIY120C5SN foi projetado para fornecer perda mínima de condução…
O FUJI 7D50D-050EHR é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de comutação de alta potência. Aqui está um resumo de seus recursos, aplicações e especificações: Recursos: Aplicações: Especificações (classificações máximas): Informações do módulo:
Características: Aplicações: Especificações (Classificações Máximas):
Módulo IGBT Toshiba MG50Q6ES40. É evidente que este módulo foi projetado para oferecer características de alto desempenho adequadas para uma variedade de aplicações de alta potência. Aqui está um resumo com base nas informações que você forneceu: Recursos: Especificações (classificações máximas): Aplicações:
Módulo Toshiba 2MBI150UM-120-50. Este parece ser um módulo de alta potência projetado para diversas aplicações de eletrônica de potência. Aqui está um resumo das informações que você forneceu: Recursos: Aplicativos: Avaliações e características máximas:
O Infineon FF800R17KE3 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Abaixo estão os detalhes sobre este módulo:
O Fuji 2MBI600VE-120 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com recursos e capacidades específicas projetados para diversas aplicações de eletrônica de potência. Principais recursos: Aplicações: Classificações e características máximas (Tc = 25 ° C, a menos que especificado): O módulo IGBT Fuji 2MBI600VE-120 foi projetado para lidar com aplicações de alta potência, como acionamentos de motores, amplificadores, fontes de alimentação e máquinas industriais. Sua alta velocidade [...]