#PM450CG1C065 Mitsubishi PM450CG1C065 Novo MISUBISHI Comutação de alta potência usa tipo isolado VCES 650V / 450 A, #PM450CG1C065 Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/pm450cg1c065.html FEATURE a) Adopting Full-Gate CSTBTTM chip. b) The over-temperature protection which detects the chip surface temperature of CSTBTTM is adopted. c) Error output signal is available from each protection upper and lower arm of IPM. […]
O Mitsubishi QM150DY-2HBK é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de comutação de alta potência. Aqui estão algumas de suas principais especificações e informações: Aplicações: O módulo é adequado para uma variedade de aplicações, incluindo:
20 de outubro de 2023 – Segundo fontes, a Mitsubishi está considerando entrar na indústria de fabricação de semicondutores por meio de uma licitação pela Shinko Electric Industries, uma subsidiária de embalagens de chips da Fujitsu. Fontes disseram que a Mitsubishi formou uma equipe para explorar a possibilidade de entrar no processo de fabricação back-end de semicondutores (embalagem e testes). Diz-se que a Fujitsu decidiu [...]
O Mitsubishi MG100H2CL1 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com características e especificações específicas. Aqui estão algumas informações sobre este módulo:
O Mitsubishi QM150DY-24 é um módulo de transistor bipolar de potência com características e especificações específicas. Aqui estão algumas informações sobre este módulo:
O Mitsubishi CM450DX-24T é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) fabricado pela Mitsubishi Electric. Aqui estão algumas especificações e informações importantes sobre este módulo: Módulos IGBT como o Mitsubishi CM450DX-24T são componentes essenciais em várias aplicações industriais e eletrônicas de alta potência onde são necessários comutação e controle eficientes de altas correntes e tensões.
o Módulo IGBT Mitsubishi RM25TN-2H. Aqui está um resumo das principais especificações: Essas especificações fornecem informações importantes para o uso seguro e eficaz do módulo IGBT Mitsubishi RM25TN-2H em diversas aplicações. É crucial aderir a estas especificações para garantir o bom funcionamento e longevidade do módulo.
O Mitsubishi PM75CL1B060 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de inversores e drives, com recursos integrados de proteção e controle. Aqui estão os principais recursos e especificações deste módulo:
Módulo IGBT Mitsubishi CM150DY-24A: capacitando aplicações de comutação Descubra o módulo IGBT Mitsubishi CM150DY-24A, um módulo dinâmico duplo IGBTMOD™ série A de 1200 V projetado para revolucionar as aplicações de comutação. Este módulo abrange dois transistores IGBT configurados em uma configuração de meia ponte, cada um equipado com um diodo de roda livre de recuperação super-rápida conectado inversamente. Ele apresenta recursos avançados ao mesmo tempo que garante montagem simplificada e superior [...]