It covers 1,200V 20 (pictured), 40 or 80mΩ mosfet die (119, 63 or 35A at 25°C respectively). “Our known-good-die SiC mosfets provide performance advantages such as near-constant junction capacitance, low insertion loss, and high isolation needed for high-frequency applications,” claimed company product v-p Michael Tsang. “Customers can receive quality-assured die that will deliver predictable and […]
21 de março de 2024 – Segundo relatos, a Odyssey Semiconductor Technologies Inc., uma empresa focada no desenvolvimento de componentes e sistemas de comutação de energia de alta tensão baseados na tecnologia de processamento de nitreto de gálio (GaN), concordou em vender seus ativos por US$ 9.52 milhões e depois dissolver . A Odyssey tem uma instalação de fabricação de wafer semicondutor de 10,000 pés quadrados equipada com uma proporção de classe [...]
19 de março de 2024 - STMicroelectronics anuncia expansão de sua família STPOWER MDmesh DM9 AG com MOSFETs de superjunção 600V/650V de nível automotivo, oferecendo eficiência e durabilidade superiores para aplicações de carregador integrado (OBC) e conversor DC/DC em hard-switching e soft - topologias de comutação. Com excelente RDS(on) por área de matriz e carga mínima de porta, os dispositivos baseados em silício combinam baixas perdas de energia com […]
13 de março de 2024 - A STMicroelectronics lançou recentemente MOSFETs de superjunção 600V/650V de nível automotivo na série STPOWER MDmesh DM9 AG, oferecendo eficiência e durabilidade superiores para aplicações de carregador integrado (OBC) e conversor DC/DC em hard-switching e topologias de comutação suave. Com excelente RDS(on) por área de matriz e carga mínima de porta, os dispositivos baseados em silício combinam baixas perdas de energia com excelente comutação [...]
“O pixel vertical alongado permite uma coleta eficiente de luz, mesmo com tempos de integração mais curtos”, segundo a Time. “Superando o CMOS convencional na região VUV [vácuo ultravioleta, veja o gráfico], ambos os sensores exibem sensibilidade notável de 140 a 1,000 nm.” Ambos vêm em um pacote DIP com furo passante de 42 mm de comprimento (veja a foto) e incluem um pacote DIP de 28.7 mm de comprimento e 0.2 mm [...]
São eles: CDMSJ2204.7-650 (4.7A) CDMSJ2207.3-650 (7.3A) CDMSJ22010-650 (10A) CDMSJ22013.8-650 (13.8A) CDMSJ22029-650 (29A) “Esses mosfets de superjunção ampliam a eficiência para uma variedade de aplicações finais”, de acordo com o diretor de marketing da Central, Tom Donofrio. Além disso, “eles combinam bem com os retificadores rápidos da Central para correção do fator de potência”.
A iluminação LED com nitreto de gálio já está a provocar enormes reduções na quantidade de energia eléctrica utilizada a nível mundial e, dentro de dez anos, prevê-se que essas poupanças poderão chegar aos 46%. Mas quando se trata do consumo de eletricidade, existe outra tecnologia eletrónica que pode revelar-se ainda mais valiosa no […]
#PM450CG1C065 Mitsubishi PM450CG1C065 Novo MISUBISHI Comutação de alta potência usa tipo isolado VCES 650V / 450 A, #PM450CG1C065 Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/pm450cg1c065.html FEATURE a) Adopting Full-Gate CSTBTTM chip. b) The over-temperature protection which detects the chip surface temperature of CSTBTTM is adopted. c) Error output signal is available from each protection upper and lower arm of IPM. […]
A Profusion Ltd é uma distribuidora especializada em semicondutores que fornece à indústria de áudio há quase 35 anos, estabelecendo laços estreitos com parceiros globais que projetam e fabricam uma ampla gama de componentes de última geração. Muitas dessas peças têm uma base de aplicação muito mais ampla do que o áudio, com potencial considerável para os setores industrial, médico e de gerenciamento de energia [...]