#БСМ35ГД120ДН2Э3224 EUPEC BSM35GD120DN2E3224 Новый IGBT Модули N-CH 1.2KV 50A, BSM35GD120DN2E3224 картинки, BSM35GD120DN2E3224 цена, # BSM35GD120DN2E3224 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
БСМ35ГД120ДН2Э3224
Производитель: Infineon
Категория продукта: IGBT Модули
RoHS: Нет
Product: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: Hex
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.7 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 50
Ток утечки затвор-эмиттер: 150 нА
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Пакет / Дело: ЭконоПАК 2
Упаковка: насыпной
Бренд: Infineon Technologies
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 В
Минимальная рабочая температура: - 40 С
Вид монтажа: Винт
Pd - Рассеиваемая мощность: 280 W
Количество в упаковке: 10
Модули IGBT N-CH 1.2KV 50A
Shunlongwei проверил все BSM35GD120DN2E3224 перед отправкой, все BSM35GD120DN2E3224 с 6-месячной гарантией.