#BSM35GD120DN2E3224 EUPEC BSM35GD120DN2E3224 Nouveau IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A, images BSM35GD120DN2E3224, prix BSM35GD120DN2E3224, fournisseur #BSM35GD120DN2E3224
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM35GD120DN2E3224
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: Modules IGBT
RoHS: Non
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Hex
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 2.7 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 50
Courant de fuite porte-émetteur: 150 na
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Paquet / Cas: ÉconoPACK 2
Paquet: Gros Volume
Marque: Infineon Technologies
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Pd - Dissipation de puissance: 280 W
Quantité de paquet d'usine: 10
Modules IGBT N-CH 1.2KV 50A
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