Infineon FF600R07ME4_B11 В наличии

#ФФ600Р07МЕ4_Б11 Infineon FF600R07ME4_B11 Новый EconoDUAL™3 модуль с траншеей/полевым упором IGBT³ и Emitter Controlled 3 и NTC, изображения FF600R07ME4_B11, цена FF600R07ME4_B11, # FF600R07ME4_B11 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com

-----------------------

FF600R07ME4_B11 Техническое описание
Обратное напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер Tvj = 25 ° C VCES 650 В 
Kollektor-Dauergleichstrom Непрерывный ток коллектора DC = 80 ° C, Tvj max = 150 ° C TC = 25 ° C, Tvj max = 150 ° C IC ном IC 600A ~ 700A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 мс ICRM 1200A
Общая рассеиваемая мощность Общая рассеиваемая мощность TC = 25 ° C, Tvj max = 150 Ptot 11800 Вт
Пиковое напряжение затвор-эмиттер-Spitzenspannung затвор-эмиттер VGES +/- 20V
TemperaturimSchaltbetrieb Условия переключения температуры Tvj op -40 ~ 125 ° C
Диод, инвертор / диод, инвертор
PeriodischeSpitzensperrspannung Повторяющееся пиковое обратное напряжение Tvj = 25 ° C VRRM 600 В
Непрерывный прямой ток постоянного тока IF 600 A
PeriodischerSpitzenstrom Повторяющийся пиковый прямой ток tP = 1 мс IFRM 1200 A
Grenzlastintegral I²t-значение VR = 0 В, tP = 10 мс, Tvj = 125 ° C I²t 19500 A² с
Модуль EconoDUAL ™ 3 с траншеей / полевым упором IGBT³ и 3 диода с эмиттерным управлением и NTC
Модуль EconoDUAL ™ 3 с траншеей / полевым упором IGBT³ и 3 диода с эмиттерным управлением и NTC