Infineon FF600R07ME4_B11 มีในสต็อก

#FF600R07ME4_B11 Infineon FF600R07ME4_B11 ใหม่ EconoDUAL™3 โมดูล พร้อมร่องลึก/จุดหยุดสนาม IGBT³และอิมิตเตอร์ควบคุมไดโอด 3 ตัวและ NTC ภาพ FF600R07ME4_B11 ราคา FF600R07ME4_B11 # ผู้จัดจำหน่าย FF600R07ME4_B11
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com

-----------------------

เอกสารข้อมูลสินค้า FF600R07ME4_B11
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25 ° C VCES 650 V 
Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DCcollectorcurrent TC = 80 ° C, Tvj max = 150 ° C TC = 25 ° C, Tvj max = 150 ° C IC ขนม IC 600A ~ 700A
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1200A
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25 ° C, Tvj max = 150 Ptot 11800W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/- 20V
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 ~ 125 ° C
Diode, Wechselrichter / Diode, Inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung การทำซ้ำpeakreversevoltage TV = 25 ° C VRRM 600 V
DCforwardcurrent แบบต่อเนื่อง IF 600 A
PeriodischerSpitzenstrom ซ้ำสูงสุดไปข้างหน้าปัจจุบัน tP = 1 ms IFRM 1200 A
Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125 ° C I²t 19500 A²s
โมดูล EconoDUAL ™ 3 พร้อมร่องลึก / สนามหยุด IGBT³และ Emitter ควบคุม 3 ไดโอดและ NTC
โมดูล EconoDUAL ™ 3 พร้อมร่องลึก / สนามหยุด IGBT³และ Emitter ควบคุม 3 ไดโอดและ NTC