#П28Ф010-150 INTEL P28F010-150 New Flash, 128KX8, 150ns, PDIP32, 0.620 X 1.640 INCH, PLASTIC, DIP-32, P28F010-150 картинки, цена P28F010-150, # P28F010-150 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/p28f010-150.html
-----------------------
Номер детали производителя: P28F010-150
Код RoHS: Нет
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: INTEL CORP
Код упаковки детали: DIP
Описание упаковки: 0.620 X 1.640 ДЮЙМА, ПЛАСТИК, DIP-32
Количество контактов: 32
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8542.32.00.51
Производитель: Intel Corporation
Рейтинг риска: 5.52
Максимальное время доступа: 150 нс
Дополнительная функция: 100000 ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ / ПРОГРАММИРОВАНИЯ
Командный пользовательский интерфейс: ДА
Опрос данных: НЕТ
Выносливость: 100000 циклов записи / стирания
Код JESD-30: R-PDIP-T32.
Код JESD-609: e0.
Длина: 41.91 мм
Плотность памяти: 1048576 бит
Память IC Тип: ВСПЫШКА
Ширина памяти: 8
Количество функций: 1
Количество терминалов: 32
Количество слов: 131072 слов
Код количества слов: 128000
Режим работы: АСИНХРОННЫЙ
Максимальная рабочая температура: 70 ° C
Организация: 128KX8
Выходные характеристики: 3 состояния
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Код упаковки: DIP
Код эквивалентности упаковки: DIP32, .6
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: IN-LINE
Параллельный / последовательный: ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Источники питания: 5 В
Программирование напряжение: 12 V
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Высота сиденья - макс .: 4.83 мм
Максимальный ток в режиме ожидания: 0.0001 A
Подкатегория: Flash Memories
Максимальный ток питания: 0.03 мА
Планирование напряжение-Макс (Vsup): 5.5 В
Напряжение питания-Мин. (Vsup): 4.5 В
Номинальное напряжение питания (Vsup): 5 В
Поверхностное крепление: НЕТ
Технологии: CMOS
Температурный класс: КОММЕРЧЕСКИЙ
Отделка клемм: олово / свинец (Sn / Pb)
Форма клеммы: ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ
Шаг клемм: 2.54 мм
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Вспышка, 128KX8, 150 нс, PDIP32, 0.620 X 1.640 ДЮЙМА, ПЛАСТИКОВЫЙ, DIP-32
Код RoHS: Нет
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: INTEL CORP
Код упаковки детали: DIP
Описание упаковки: 0.620 X 1.640 ДЮЙМА, ПЛАСТИК, DIP-32
Количество контактов: 32
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8542.32.00.51
Производитель: Intel Corporation
Рейтинг риска: 5.52
Максимальное время доступа: 150 нс
Дополнительная функция: 100000 ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ / ПРОГРАММИРОВАНИЯ
Командный пользовательский интерфейс: ДА
Опрос данных: НЕТ
Выносливость: 100000 циклов записи / стирания
Код JESD-30: R-PDIP-T32.
Код JESD-609: e0.
Длина: 41.91 мм
Плотность памяти: 1048576 бит
Память IC Тип: ВСПЫШКА
Ширина памяти: 8
Количество функций: 1
Количество терминалов: 32
Количество слов: 131072 слов
Код количества слов: 128000
Режим работы: АСИНХРОННЫЙ
Максимальная рабочая температура: 70 ° C
Организация: 128KX8
Выходные характеристики: 3 состояния
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Код упаковки: DIP
Код эквивалентности упаковки: DIP32, .6
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: IN-LINE
Параллельный / последовательный: ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Источники питания: 5 В
Программирование напряжение: 12 V
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Высота сиденья - макс .: 4.83 мм
Максимальный ток в режиме ожидания: 0.0001 A
Подкатегория: Flash Memories
Максимальный ток питания: 0.03 мА
Планирование напряжение-Макс (Vsup): 5.5 В
Напряжение питания-Мин. (Vsup): 4.5 В
Номинальное напряжение питания (Vsup): 5 В
Поверхностное крепление: НЕТ
Технологии: CMOS
Температурный класс: КОММЕРЧЕСКИЙ
Отделка клемм: олово / свинец (Sn / Pb)
Форма клеммы: ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ
Шаг клемм: 2.54 мм
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Вспышка, 128KX8, 150 нс, PDIP32, 0.620 X 1.640 ДЮЙМА, ПЛАСТИКОВЫЙ, DIP-32