#P28F010-150 INTEL P28F010-150 Flash mới, 128KX8, 150ns, PDIP32, 0.620 X 1.640 INCH, PLASTIC, DIP-32, P28F010-150 hình ảnh, P28F010-150 giá, # P28F010-150 nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/p28f010-150.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: P28F010-150
Mã Rohs: Không
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: INTEL CORP
Mã phần gói: DIP
Mô tả gói hàng: 0.620 X 1.640 INCH, NHỰA, DIP-32
Số lượng pin: 32
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.51
Nhà sản xuất: Tập đoàn Intel
Xếp hạng rủi ro: 5.52
Thời gian truy cập tối đa: 150 ns
Tính năng bổ sung: 100000 LỖI / CYCLES CHƯƠNG TRÌNH
Giao diện người dùng lệnh: CÓ
Thăm dò dữ liệu: KHÔNG
Độ bền: 100000 chu kỳ ghi / xóa
Mã JESD-30: R-PDIP-T32
Mã JESD-609: e0
Chiều dài: 41.91 mm
Mật độ bộ nhớ: 1048576 bit
Bộ nhớ IC Loại: FLASH
Chiều rộng bộ nhớ: 8
Số chức năng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 32
Số từ: 131072 từ
Mã số từ: 128000
Chế độ hoạt động: ASYNCHRONOUS
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 70 ° C
Tổ chức: 128KX8
Đặc điểm đầu ra: 3-STATE
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: DIP
Mã tương đương gói: DIP32, .6
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: IN-LINE
Song song / Nối tiếp: PARALLEL
Nhiệt độ dòng chảy cao nhất (Cel): KHÔNG ĐƯỢC CHỈ ĐỊNH CỤ THỂ
Nguồn cung cấp: 5 V
Lập trình Vôn: 12 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 4.83 mm
Dòng chờ-Tối đa: 0.0001 A
Danh mục con: Ký ức Flash
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.03 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 5.5 V
Điện áp cung cấp-Min (Vsup): 4.5 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 5 V
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: THƯƠNG MẠI
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Chì (Sn / Pb)
Dạng đầu cuối: THROUGH-HOLE
Cao độ đầu cuối: 2.54 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Flash, 128KX8, 150ns, PDIP32, 0.620 X 1.640 INCH, NHỰA, DIP-32
Mã Rohs: Không
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: INTEL CORP
Mã phần gói: DIP
Mô tả gói hàng: 0.620 X 1.640 INCH, NHỰA, DIP-32
Số lượng pin: 32
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.51
Nhà sản xuất: Tập đoàn Intel
Xếp hạng rủi ro: 5.52
Thời gian truy cập tối đa: 150 ns
Tính năng bổ sung: 100000 LỖI / CYCLES CHƯƠNG TRÌNH
Giao diện người dùng lệnh: CÓ
Thăm dò dữ liệu: KHÔNG
Độ bền: 100000 chu kỳ ghi / xóa
Mã JESD-30: R-PDIP-T32
Mã JESD-609: e0
Chiều dài: 41.91 mm
Mật độ bộ nhớ: 1048576 bit
Bộ nhớ IC Loại: FLASH
Chiều rộng bộ nhớ: 8
Số chức năng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 32
Số từ: 131072 từ
Mã số từ: 128000
Chế độ hoạt động: ASYNCHRONOUS
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 70 ° C
Tổ chức: 128KX8
Đặc điểm đầu ra: 3-STATE
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: DIP
Mã tương đương gói: DIP32, .6
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: IN-LINE
Song song / Nối tiếp: PARALLEL
Nhiệt độ dòng chảy cao nhất (Cel): KHÔNG ĐƯỢC CHỈ ĐỊNH CỤ THỂ
Nguồn cung cấp: 5 V
Lập trình Vôn: 12 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 4.83 mm
Dòng chờ-Tối đa: 0.0001 A
Danh mục con: Ký ức Flash
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.03 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 5.5 V
Điện áp cung cấp-Min (Vsup): 4.5 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 5 V
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: THƯƠNG MẠI
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Chì (Sn / Pb)
Dạng đầu cuối: THROUGH-HOLE
Cao độ đầu cuối: 2.54 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Flash, 128KX8, 150ns, PDIP32, 0.620 X 1.640 INCH, NHỰA, DIP-32