Nanusens делает шаг к интеграции CMOS для своего датчика MEMS

Обновление: 26 мая 2023 г.

«Это означает, что оба датчик Структура и схема ее обнаружения могут быть созданы одновременно внутри микросхемы с использованием стандартных процессов CMOS на любом требуемом технологическом узле», — заявили в британской компании Devon. «В результате теперь можно изготавливать ASIC со встроенными в них несколькими различными датчиками».

Датчики все инерционные, с подвешенной массой.

Потому что это цифровой схема, его можно масштабировать до узла процесса, используемого для структуры датчика, добавил Нанусенс.

Потенциально средний ток менее мкА будет потребляться 180-нм воплощением этого IC, по словам компании, потому что схема может работать с низким рабочим циклом, выходя из спящего режима через 3 мкс.

«Мы уже ведем переговоры с компаниями, которые хотят лицензировать эту интеллектуальную собственность», — сказал соучредитель Хосеп Монтанья.

Датчики компании построены из металлов BEOL (задняя часть линии) ИС, освобожденных путем травления окружающих оксидных слоев.

Компания Nanusens со штаб-квартирой в Пейнтоне имеет офисы исследований и разработок в Барселоне и Шэньчжэне. Его исследования продолжаются в Baolab Microsystems, предыдущей компании основателей.

В то время как «белая книга» иногда стала означать «жидкую маркетинговую кашу», Наунсенс противостоял этой тенденции, создав пробку в процессе создания мемов, которую стоит прочитать.

Посмотреть больше: Модули IGBT | ЖК-дисплеи | Электронные компоненты