ПХТ250Н16 IGBT (Биполярный транзистор с изолированным затвором) модуль. В этих спецификациях указаны максимальные номиналы и характеристики модуля IGBT в различных условиях эксплуатации. Вот разбивка предоставленной вами информации:
- Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии (VDRM): 1600 В – это максимальное напряжение, которое IGBT может выдержать в выключенном состоянии и в повторяющемся режиме.
- Неповторяющееся пиковое обратное напряжение (VRSM): 1700 В – это максимальное обратное напряжение, которое IGBT может выдержать в неповторяющемся режиме.
- Средний ток во включенном состоянии (Io(AV)): 250 А – это максимальный средний ток, который может выдержать IGBT, когда он включен и проводит ток.
- Импульсный ток в состоянии (ITSM): 4000 А – это максимальный непериодический импульсный ток, который IGBT может выдержать в течение одного импульса.
- Пиковая мощность шлюза (PGM): 5 Вт – это максимальная мощность, которую может выдержать затвор IGBT во время пиковой работы.
- Пиковый ток затвора (IGM): 2А – это максимальный ток, который может течь в затвор IGBT во время пиковой работы.
- Пиковое напряжение затвора (VGM): 10 В – это максимальное напряжение, которое можно подать на затвор IGBT.
- Диапазон температур рабочего перехода (Tjw): -40 ~ +125°C – это диапазон температур, в котором IGBT может безопасно работать. При температуре ниже -40°C и выше +125°C устройство может не работать должным образом или может быть повреждено.
- Температура хранения (Tstg): -40 ~ +125°C – это температурный диапазон, в котором IGBT может храниться без каких-либо необратимых повреждений.
- Напряжение изоляции (Висо): 2500 В переменного тока в течение 1 минуты — это напряжение, которое изоляция между клеммой и базой может выдерживать в течение одной минуты без нарушения.
- Монтажный крутящий момент: Клемма M5 2.4–2.8 Нм – это рекомендуемый диапазон крутящего момента, который следует применять при монтаже модуля IGBT с размером клеммы M5.