PHT250N16 IGBT (Transistor bipolare a gate isolato) modulo. Queste specifiche delineano i valori nominali e le caratteristiche massime del modulo IGBT in diverse condizioni operative. Ecco un riepilogo delle informazioni che hai fornito:
- Tensione di picco ripetitiva in stato off (VDRM): 1600 V – Questa è la tensione massima che l'IGBT può sopportare quando è spento e in modalità ripetitiva.
- Tensione inversa di picco non ripetitiva (VRSM): 1700 V – Questa è la tensione inversa massima che l'IGBT può gestire in modalità non ripetitiva.
- Corrente media in stato attivo (Io(AV)): 250 A – Questa è la corrente media massima che l'IGBT può gestire quando è acceso e in conduzione.
- Surge On-State Current (ITSM): 4000 A – Questa è la corrente di picco non ripetitiva massima che l'IGBT può gestire per un singolo impulso.
- Potenza di picco del gate (PGM): 5 W – Questa è la potenza massima che il gate dell'IGBT può gestire durante il funzionamento di punta.
- Corrente di picco al gate (IGM): 2A – Questa è la corrente massima che può fluire nel gate dell'IGBT durante il funzionamento di punta.
- Tensione di porta di picco (VGM): 10 V – Questa è la tensione massima che può essere applicata al gate dell'IGBT.
- Intervallo di temperatura della giunzione operativa (Tjw): -40 ~ +125°C – Questo è l'intervallo di temperatura entro il quale l'IGBT può funzionare in sicurezza. Al di sotto di -40°C e al di sopra di +125°C, il dispositivo potrebbe non funzionare come previsto o potrebbe essere danneggiato.
- Temperatura di stoccaggio (Tstg): -40 ~ +125°C – Questo è l'intervallo di temperatura entro il quale l'IGBT può essere conservato senza causare danni permanenti.
- Tensione di isolamento (Viso): 2500 V CA per 1 minuto – Questa è la tensione che l'isolamento tra il terminale e la base può sopportare per un minuto senza rompersi.
- Coppia di montaggio: Terminale M5 2.4~2.8 Nm – Questo è l'intervallo di coppia consigliato da applicare quando si monta il modulo IGBT con un terminale di dimensioni M5.