#К4Д551638Ф-ТК40 SAMSUNG K4D551638F-TC40 Новая DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66, фотографии K4D551638F-TC40, цена K4D551638F-TC40, # K4D551638F-TC40 поставщик
-----------------------
Электронная почта: [электронная почта защищена]
-----------------------
Электронная почта: [электронная почта защищена]
https://www.slw-ele.com/k4d551638f-tc40.html
-----------------------
Номер детали производителя: K4D551638F-TC40
Код без содержания свинца: Нет
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: SAMSUNG Полупроводниковое INC
Описание упаковки: ЦСОП, ЦСОП66, .46
Производитель: Samsung Полупроводниковое
Рейтинг риска: 5.92
Максимальная тактовая частота (fCLK): 250 МГц
Тип ввода / вывода: ОБЩИЙ
Длина чередующегося пакета: 2,4,8
Код JESD-30: R-PDSO-G66.
Плотность памяти: 268435456 бит
Память IC Тип: DDR DRAM
Ширина памяти: 16
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество терминалов: 66
Количество слов: 16777216 слов
Код количества слов: 16000000
Максимальная рабочая температура: 65 ° C
Организация: 16MX16
Выходные характеристики: 3 состояния
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Код пакета: TSSOP
Код эквивалентности упаковки: TSSOP66, .46
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ, ТОНКИЙ ПРОФИЛЬ, УДАРНЫЙ ШАГ
Пиковая температура оплавления (Cel): 225
Источники питания: 2.6 В
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Циклов обновления: 8192
Длина последовательного пакета: 2,4,8
Подкатегория: DRAM
Максимальный ток питания: 0.41 мА
Планирование напряжение-Номинальное (Vsup): 2.6 В
Поверхностное крепление: ДА
Технологии: CMOS
Температурный класс: КОММЕРЧЕСКИЙ
Форма клеммы: GULL WING
Шаг клемм: 0.635 мм
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
DDR DRAM, 16MX16, КМОП, PDSO66,
Код без содержания свинца: Нет
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: SAMSUNG Полупроводниковое INC
Описание упаковки: ЦСОП, ЦСОП66, .46
Производитель: Samsung Полупроводниковое
Рейтинг риска: 5.92
Максимальная тактовая частота (fCLK): 250 МГц
Тип ввода / вывода: ОБЩИЙ
Длина чередующегося пакета: 2,4,8
Код JESD-30: R-PDSO-G66.
Плотность памяти: 268435456 бит
Память IC Тип: DDR DRAM
Ширина памяти: 16
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество терминалов: 66
Количество слов: 16777216 слов
Код количества слов: 16000000
Максимальная рабочая температура: 65 ° C
Организация: 16MX16
Выходные характеристики: 3 состояния
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Код пакета: TSSOP
Код эквивалентности упаковки: TSSOP66, .46
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ, ТОНКИЙ ПРОФИЛЬ, УДАРНЫЙ ШАГ
Пиковая температура оплавления (Cel): 225
Источники питания: 2.6 В
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Циклов обновления: 8192
Длина последовательного пакета: 2,4,8
Подкатегория: DRAM
Максимальный ток питания: 0.41 мА
Планирование напряжение-Номинальное (Vsup): 2.6 В
Поверхностное крепление: ДА
Технологии: CMOS
Температурный класс: КОММЕРЧЕСКИЙ
Форма клеммы: GULL WING
Шаг клемм: 0.635 мм
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
DDR DRAM, 16MX16, КМОП, PDSO66,