#K4D551638F-TC40 SAMSUNG K4D551638F-TC40 Nueva DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66, imágenes K4D551638F-TC40, precio K4D551638F-TC40, proveedor # K4D551638F-TC40
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https://www.slw-ele.com/k4d551638f-tc40.html
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Número de parte del fabricante: K4D551638F-TC40
Código Pbfree: No
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante de Ihs: SAMSUNG Semiconductores INC
Descripción del paquete: TSSOP, TSSOP66, .46
Fabricante: Samsung Semiconductores
Rango de riesgo: 5.92
Frecuencia de reloj máxima (fCLK): 250 MHz
Tipo de E / S: COMÚN
Longitud de ráfaga intercalada: 2,4,8
Código JESD-30: R-PDSO-G66
Densidad de memoria: 268435456 bit
Salud Cerebral IC Tipo: DDR DRAM
Ancho de memoria: 16
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de terminales: 66
Número de palabras: 16777216 palabras
Código de número de palabras: 16000000
Temperatura de funcionamiento máxima: 65 ° C
Organización: 16MX16
Características de salida: 3 ESTADOS
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Código del paquete: TSSOP
Código de equivalencia de paquete: TSSOP66, .46
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: ESQUEMA PEQUEÑO, PERFIL DELGADO, PASO DE ENCOGIMIENTO
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 225
Fuentes de alimentación: 2.6 V
Estado de calificación: no calificado
Ciclos de actualización: 8192
Longitud de ráfaga secuencial: 2,4,8
Subcategoría: DRAM
Corriente de suministro máxima: 0.41 mA
Suministro voltaje-Nom (Vsup): 2.6 V
Montaje en superficie: SÍ
Tecnología: CMOS
Grado de temperatura: COMERCIAL
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Paso de terminal: 0.635 mm
Posición terminal: DUAL
Horario
DRAM DDR, 16MX16, CMOS, PDSO66,
Código Pbfree: No
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante de Ihs: SAMSUNG Semiconductores INC
Descripción del paquete: TSSOP, TSSOP66, .46
Fabricante: Samsung Semiconductores
Rango de riesgo: 5.92
Frecuencia de reloj máxima (fCLK): 250 MHz
Tipo de E / S: COMÚN
Longitud de ráfaga intercalada: 2,4,8
Código JESD-30: R-PDSO-G66
Densidad de memoria: 268435456 bit
Salud Cerebral IC Tipo: DDR DRAM
Ancho de memoria: 16
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de terminales: 66
Número de palabras: 16777216 palabras
Código de número de palabras: 16000000
Temperatura de funcionamiento máxima: 65 ° C
Organización: 16MX16
Características de salida: 3 ESTADOS
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Código del paquete: TSSOP
Código de equivalencia de paquete: TSSOP66, .46
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: ESQUEMA PEQUEÑO, PERFIL DELGADO, PASO DE ENCOGIMIENTO
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 225
Fuentes de alimentación: 2.6 V
Estado de calificación: no calificado
Ciclos de actualización: 8192
Longitud de ráfaga secuencial: 2,4,8
Subcategoría: DRAM
Corriente de suministro máxima: 0.41 mA
Suministro voltaje-Nom (Vsup): 2.6 V
Montaje en superficie: SÍ
Tecnología: CMOS
Grado de temperatura: COMERCIAL
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Paso de terminal: 0.635 mm
Posición terminal: DUAL
Horario
DRAM DDR, 16MX16, CMOS, PDSO66,