SCE200AA160 IGBT МОД ДВОЙНОЙ 1800V 6000A A SER6000A / 1800V /IGBT/10W - мощный биполярный изолированный затвор. Транзистор (IGBT) модуль предназначен для различных энергетических применений. Он предлагает надежные и эффективные возможности управления и переключения мощности.
Ключевые спецификации:
- Температура перехода (Tj): от -40 до 150 °C
- Температура хранения (Tstg): от -40 до 125 °C
- Коллектор-эмиттер напряжение (короткий GE) (VCES): 1800 вольт
- Ворота-излучатель напряжение (CE, короткое замыкание) (VGES): ±20 Вольт
- Ток коллектора (DC, TC = 80°C*) (IC): 6000 ампер
- Пиковый ток коллектора (ICM): 1200** ампер
- Ток эмиттера*** (TC = 25°C) (IE): 600 ампер
- Пиковый ток эмиттера*** (IEM): 1200** ампер
- Максимальное рассеивание коллектора Пиковое рассеивание мощности затвора: 10 Вт
- Вес: 210 Грамм
- Напряжение изоляции (основная клемма к базовой плате, переменный ток 1 мин.) (VISO): 2500 Вольт
IGBT MOD DUAL 1800V 6000A A SER6000A/1800V/IGBT/10W способен выдерживать большие токи и напряжения, что делает его пригодным для приложений с высокими требованиями к мощности. Диапазон температур его перехода составляет от -40 до 150 °С, что позволяет надежно работать в различных температурных условиях. Модуль имеет диапазон температур хранения от -40 до 125 °C.
При номинальном напряжении коллектор-эмиттер (VCES) 1800 вольт модуль может работать с высокими уровнями напряжения. Номинальное напряжение затвор-эмиттер (VGES) составляет ±20 В, что обеспечивает эффективный контроль над Транзисторповедение переключения.
Ток коллектора (IC) составляет 6000 ампер, а максимальный ток коллектора (ICM) составляет 1200** ампер. Эти номинальные значения указывают на способность модуля эффективно обрабатывать большие токи. Номинальный ток эмиттера (IE) составляет 600 ампер, с номинальным пиковым током эмиттера (IEM) 1200** ампер.
Модуль имеет максимальное пиковое рассеивание мощности затвора коллектора 10 Вт, что обеспечивает эффективное управление мощностью. Он имеет вес 210 грамм, что делает его подходящим для различных применений, где важны соображения веса.
Напряжение изоляции (VISO) между основной клеммой и базовой платой составляет 2500 В, что обеспечивает надежную электрическую изоляцию и безопасность.
SCE200AA160 IGBT MOD DUAL 1800V 6000A A SER6000A/1800V/IGBT/10W представляет собой высокомощный модуль, предназначенный для управления питанием и коммутации. Благодаря высокому напряжению и току он обеспечивает надежную работу в сложных условиях. Компактный размер и эффективное управление температурным режимом делают его пригодным для широкого спектра энергетических приложений.