Der SCE200AA160 IGBT MOD DUAL 1800V 6000A A SER6000A / 1800V /IGBT/10W ist ein Hochleistungs-Bipolar mit isoliertem Gate Transistor (IGBT) Modulen Entwickelt für verschiedene Energieanwendungen. Es bietet zuverlässige und effiziente Leistungssteuerungs- und Schaltfunktionen.
Key Spezifikationen:
- Sperrschichttemperatur (Tj): -40 bis 150 °C
- Lagertemperatur (Tstg): -40 bis 125 °C
- Sammler-Emitter Spannung (GE Short) (VCES): 1800 Volt
- Gate-Emitter Spannung (CE-Kurzschluss) (VGES): ±20 Volt
- Kollektorstrom (DC, TC = 80°C*) (IC): 6000 Ampere
- Spitzenkollektorstrom (ICM): 1200** Ampere
- Emitterstrom*** (TC = 25°C) (IE): 600 Ampere
- Spitzenemitterstrom*** (IEM): 1200** Ampere
- Maximale Verlustleistung des Kollektors, Spitzenverlustleistung des Gates: 10 W
- Gewicht: 210 Grams
- Isolationsspannung (Hauptklemme zur Grundplatte, Wechselstrom 1 Minute) (VISO): 2500 Volt
Der IGBT MOD DUAL 1800V 6000A A SER6000A/1800V/IGBT/10W ist in der Lage, hohe Ströme und Spannungen zu verarbeiten, wodurch er für anspruchsvolle Leistungsanwendungen geeignet ist. Der Sperrschichttemperaturbereich liegt zwischen -40 und 150 °C und ermöglicht einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Temperaturbedingungen. Das Modul hat einen Lagertemperaturbereich von -40 bis 125 °C.
Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung (VCES) von 1800 Volt kann das Modul hohe Spannungspegel verarbeiten. Die Gate-Emitter-Spannung (VGES) beträgt ±20 Volt und ermöglicht so eine effektive Kontrolle über die TransistorSchaltverhalten.
Der Kollektorstrom (ICDie Nennleistung beträgt 6000 Ampere und die maximale Kollektorstromstärke (ICM) beträgt 1200 Ampere. Diese Nennwerte geben Aufschluss über die Fähigkeit des Moduls, hohe Ströme effizient zu verarbeiten. Der Emitterstrom (IE) beträgt 600 Ampere, der Spitzenemitterstrom (IEM) beträgt 1200** Ampere.
Das Modul verfügt über eine maximale Kollektorverlustleistung von 10 W, was eine effiziente Leistungsverarbeitung gewährleistet. Es hat ein Gewicht von 210 Gramm und eignet sich daher für verschiedene Anwendungen, bei denen es auf das Gewicht ankommt.
Die Isolationsspannung (VISO) zwischen Hauptanschluss und Grundplatte beträgt 2500 Volt und sorgt so für zuverlässige elektrische Isolierung und Sicherheit.
Das SCE200AA160 IGBT MOD DUAL 1800V 6000A A SER6000A/1800V/IGBT/10W ist ein Hochleistungsmodul, das für Leistungssteuerungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Mit seinen hohen Spannungs- und Stromwerten bietet es zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Aufgrund seiner kompakten Größe und seines effektiven Wärmemanagements eignet es sich für eine Vielzahl von Energieanwendungen.