Shunlongwei Co. Ltd

Новый дискретный биполярный транзистор Toshiba с изолированным затвором повышает эффективность кондиционеров и промышленного оборудования

Новости
Обновление: 10 марта 2023 г.
  • Азиатско-Тихоокеанский регион
    Английский
    简体 中文
    繁體 中文
    한국어
    日本語
    Северной и Южной Америки
    Английский
    Европа (EMEA)
    Английский
    Азиатско-Тихоокеанский регион
    Английский
    简体 中文
    繁體 中文
    한국어
    日本語
    Северной и Южной Америки
    Английский
    Европа (EMEA)
    Английский
  • КОНТАКТЫ
  • Поиск по номеру детали
  • Поиск перекрестных ссылок
  • Поиск по ключевому слову
  • Параметрический поиск
  • Проверка запасов и покупка

Эта страница частично использует JavaScript. Эта страница может работать некорректно, если эти функции не поддерживаются вашим браузером или настройка отключена.​
Пожалуйста, ищите необходимую информацию на следующих страницах:

  • Карта сайта
  • Свяжитесь с нами
  • Азиатско-Тихоокеанский регион – английский
  • Азиатско-Тихоокеанский регион – 简体中文
  • Азиатско-Тихоокеанский регион – 繁體中文
  • Азиатско-Тихоокеанский регион – 한국어
  • Азиатско-Тихоокеанский регион – 日本語
  • Америка – английский
  • Европа (EMEA) – английский

Новый дискретный биполярный транзистор Toshiba с изолированным затвором повышает эффективность кондиционеров и промышленного оборудования

9 марта 2023

Тошиба Электронный Корпорация устройств и хранения

КАВАСАКИ, Япония — Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation («Toshiba») выпустила 650-вольтовый дискретный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) «GT30J65MRB» для схем коррекции коэффициента мощности (PFC).[1] кондиционеров и крупных блоков питания для промышленного оборудования. Массовые отгрузки начинаются сегодня.

Силовые полупроводники завоевали признание как важные устройства в усилиях по энергосбережению, в том числе в направлении углеродной нейтральности. В промышленном оборудовании и бытовой технике, потребляющей значительное количество электроэнергии, растет спрос на высокоэффективные коммутационные устройства в связи с увеличением применения инверторов в кондиционерах и необходимостью снижения энергопотребления в крупных источниках питания промышленного оборудования. Это стимулировало растущий спрос на коммутационные устройства с малыми потерями и более высокие частоты коммутации в схемах ККМ.

Toshiba использует новейший технологический процесс для своего нового IGBT. Оптимизированная структура траншеи обеспечивает лучшее в отрасли[2] низкие потери на переключение (потери на переключение при выключении) 0.35 мДж (тип.)[3], примерно 42%[4] ниже, чем у предыдущего продукта Toshiba GT50JR22. Новый IGBT также имеет встроенный диод с прямым напряжение 1.20 В (тип.)[5], примерно 43%[5] ниже, чем у GT50JR22. Эти усовершенствования способствуют повышению эффективности оборудования.

Для цепей PFC кондиционеров используется предыдущий продукт Toshiba GT50JR22 с рабочей частотой ниже 40 кГц.[6]. GT30J65MRB — это первый IGBT-транзистор Toshiba для PFC, предназначенный для использования на частотах ниже 60 кГц.[6], что достигается за счет снижения потерь на переключение (потери на переключение при выключении) для обеспечения работы на более высоких частотах.

Toshiba продолжит расширять линейку продуктов, чтобы соответствовать тенденциям рынка и повышать эффективность оборудования.

цепь: Цепь, которая уменьшает разность фаз между напряжением и током, чтобы приблизить коэффициент мощности к единице, чтобы подавить гармонические составляющие, генерируемые в импульсных источниках питания.
[2] Опрос Toshiba, март 2023 г.
[3] Условия испытаний: Индуктивная нагрузка, ВCE= 400V, яC=15А, ВGE=15В, РG= 56 Ом, Тлc= 175 ° С
[4] По состоянию на март 2023 г. значения, измеренные Toshiba (условия испытаний: VCC= 400V, яC=15А, ВGG=+15В/0, RG= 56 Ом, Тлc=175°С).
[5] Условия испытаний: IF=15А, ВGE=0В, Тc= 25 ° С
[6] По состоянию на март 2023 г. значения, измеренные Toshiba с использованием оценочных плат PFC.

Приложения

  • Бытовая техника (кондиционеры и т.д.)
  • Промышленное оборудование (оборудование для автоматизации производства, многофункциональные принтеры и т. д.)

Особенности

  • В отрасли[2] низкие потери на переключение (потери на переключение при выключении): Eот=0.35 мДж[3] (тип.) реализуется по последнему процессу
  • Встроенный обратный диод (FWD) с обратной проводимостью (RC)
  • Быстрое время переключения (время спада): tf=40 нс (тип.) (Tc=25°С, яC= 15А, RG=56 Ом)
  • Низкое прямое напряжение диода: ВF=1.20 В (тип.) (Tc=25°С, яF=15А, ВGE=0В)