#AK6512CL AKM AK6512CL รูปภาพ EEPROM ใหม่ 8KX8 อนุกรม CMOS PDSO8 พลาสติก SON-8 รูปภาพ AK6512CL ราคา AK6512CL ผู้ผลิต #AK6512CL
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/ak6512cl.html
-----------------------
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: AK6512CL
รหัสวงจรชีวิตส่วนหนึ่ง: ใช้งานอยู่
Ihs ผู้ผลิต: ASAHI KASEI MICRODEVICES CORP
รหัสแพ็คเกจชิ้นส่วน: SON
คำอธิบายแพ็คเกจ: VSON, FL8,.15,25
จำนวนพิน: 8
รหัส ECCN: EAR99
รหัส HTS: 8542.32.00.51
ผู้ผลิต: Asahi Kasei Microsystems Corporation
อันดับความเสี่ยง: 5.77
ความถี่สัญญาณนาฬิกา-สูงสุด (fCLK): 5 MHz
เวลาการเก็บรักษาข้อมูล-นาที: 10
ความอดทน: 100000 รอบการเขียน / ลบ
รหัส JESD-30: R-PDSO-N8
ความยาว: 3.8 mm
ความหนาแน่นของหน่วยความจำ: 65536 บิต
หน่วยความจำ IC ประเภท: EEPROM
ความกว้างของหน่วยความจำ: 8
จำนวนฟังก์ชัน: 1
จำนวนขั้ว: 8
จำนวนคำ: 8192 คำ
จำนวนคำรหัส: 8000
โหมดการทำงาน: ซิงโครนัส
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: 85 ° C
อุณหภูมิในการทำงาน - ต่ำสุด: -40 ° C
องค์กร: 8KX8
วัสดุของตัวเครื่องบรรจุภัณฑ์: พลาสติก / EPOXY
รหัสแพ็คเกจ: VSON
รหัสเทียบเท่าแพ็คเกจ: FL8,.15,25
รูปร่างแพ็คเกจ: RECTANGULAR
รูปแบบบรรจุภัณฑ์: โครงร่างขนาดเล็ก โปรไฟล์ที่บางมาก
ขนาน/อนุกรม: SERIAL
พลัง วัสดุ: 2/5 V
สถานะการรับรอง: ไม่ผ่านการรับรอง
ความสูง - สูงสุด: 0.9 มม
ประเภทบัสอนุกรม: SPI
สแตนด์บายปัจจุบันสูงสุด: 8e-7 A
ประเภทย่อย: EEPROMs
อุปทานในปัจจุบัน - สูงสุด: 0.002 mA
บริการจัดหา แรงดันไฟฟ้า- สูงสุด (Vsup): 5.5 V.
บริการจัดหา แรงดันไฟฟ้า- ต่ำสุด (Vsup): 1.8 V
การจ่ายแรงดัน - Nom (Vsup): 2.5 V
Surface Mount: ใช่
เทคโนโลยี: ซีมอส
เกรดอุณหภูมิ: อุตสาหกรรม
แบบฟอร์มเทอร์มินัล: ไม่มีผู้นำ
Terminal Pitch: 0.65 มม
ตำแหน่งเทอร์มินัล: DUAL
ความกว้าง: 3 mm
เขียนรอบเวลาสูงสุด (tWC): 5 ms
การป้องกันการเขียน: ฮาร์ดแวร์/ซอฟต์แวร์
EEPROM, 8KX8, อนุกรม, CMOS, PDSO8, พลาสติก, SON-8
รหัสวงจรชีวิตส่วนหนึ่ง: ใช้งานอยู่
Ihs ผู้ผลิต: ASAHI KASEI MICRODEVICES CORP
รหัสแพ็คเกจชิ้นส่วน: SON
คำอธิบายแพ็คเกจ: VSON, FL8,.15,25
จำนวนพิน: 8
รหัส ECCN: EAR99
รหัส HTS: 8542.32.00.51
ผู้ผลิต: Asahi Kasei Microsystems Corporation
อันดับความเสี่ยง: 5.77
ความถี่สัญญาณนาฬิกา-สูงสุด (fCLK): 5 MHz
เวลาการเก็บรักษาข้อมูล-นาที: 10
ความอดทน: 100000 รอบการเขียน / ลบ
รหัส JESD-30: R-PDSO-N8
ความยาว: 3.8 mm
ความหนาแน่นของหน่วยความจำ: 65536 บิต
หน่วยความจำ IC ประเภท: EEPROM
ความกว้างของหน่วยความจำ: 8
จำนวนฟังก์ชัน: 1
จำนวนขั้ว: 8
จำนวนคำ: 8192 คำ
จำนวนคำรหัส: 8000
โหมดการทำงาน: ซิงโครนัส
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: 85 ° C
อุณหภูมิในการทำงาน - ต่ำสุด: -40 ° C
องค์กร: 8KX8
วัสดุของตัวเครื่องบรรจุภัณฑ์: พลาสติก / EPOXY
รหัสแพ็คเกจ: VSON
รหัสเทียบเท่าแพ็คเกจ: FL8,.15,25
รูปร่างแพ็คเกจ: RECTANGULAR
รูปแบบบรรจุภัณฑ์: โครงร่างขนาดเล็ก โปรไฟล์ที่บางมาก
ขนาน/อนุกรม: SERIAL
พลัง วัสดุ: 2/5 V
สถานะการรับรอง: ไม่ผ่านการรับรอง
ความสูง - สูงสุด: 0.9 มม
ประเภทบัสอนุกรม: SPI
สแตนด์บายปัจจุบันสูงสุด: 8e-7 A
ประเภทย่อย: EEPROMs
อุปทานในปัจจุบัน - สูงสุด: 0.002 mA
บริการจัดหา แรงดันไฟฟ้า- สูงสุด (Vsup): 5.5 V.
บริการจัดหา แรงดันไฟฟ้า- ต่ำสุด (Vsup): 1.8 V
การจ่ายแรงดัน - Nom (Vsup): 2.5 V
Surface Mount: ใช่
เทคโนโลยี: ซีมอส
เกรดอุณหภูมิ: อุตสาหกรรม
แบบฟอร์มเทอร์มินัล: ไม่มีผู้นำ
Terminal Pitch: 0.65 มม
ตำแหน่งเทอร์มินัล: DUAL
ความกว้าง: 3 mm
เขียนรอบเวลาสูงสุด (tWC): 5 ms
การป้องกันการเขียน: ฮาร์ดแวร์/ซอฟต์แวร์
EEPROM, 8KX8, อนุกรม, CMOS, PDSO8, พลาสติก, SON-8