#AK6512CL AKM AK6512CL EEPROM mới, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO8, NHỰA, SON-8, hình AK6512CL, giá AK6512CL, #AK6512CL nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/ak6512cl.html
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: AK6512CL
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Ihs Nhà sản xuất: ASAHI KASEI MICRODEVICES CORP
Một phần mã gói: SON
Mô tả gói: VSON, FL8,.15,25
Số lượng pin: 8
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.51
Nhà sản xuất: Asahi Kasei Microsystems Corporation
Xếp hạng rủi ro: 5.77
Tần số xung nhịp tối đa (fCLK): 5 MHz
Thời gian lưu giữ dữ liệu-Min: 10
Độ bền: 100000 chu kỳ ghi / xóa
Mã JESD-30: R-PDSO-N8
Chiều dài: 3.8 mm
Mật độ bộ nhớ: 65536 bit
Bộ nhớ IC Loại: EEPROM
Chiều rộng bộ nhớ: 8
Số chức năng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 8
Số từ: 8192 từ
Mã số từ: 8000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 85 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Tổ chức: 8KX8
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: VSON
Mã tương đương gói: FL8, .15,25
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NGOÀI TRỜI NHỎ, HỒ SƠ RẤT RẤT RẤT
Song song / Nối tiếp: SERIAL
Power Nguồn cung cấp: 2 / 5 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 0.9 mm
Loại xe buýt nối tiếp: SPI
Dòng chờ-Tối đa: 8e-7 A
Danh mục con: EEPROMs
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.002 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 5.5 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 1.8 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 2.5 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: CÔNG NGHIỆP
Dạng đầu cuối: KHÔNG CÓ CHÌ
Cao độ đầu cuối: 0.65 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Chiều rộng: 3 mm
Thời gian chu kỳ ghi-Tối đa (tWC): 5 mili giây
Bảo vệ ghi: PHẦN CỨNG / PHẦN MỀM
EEPROM, 8KX8, Nối tiếp, CMOS, PDSO8, NHỰA, SON-8
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Ihs Nhà sản xuất: ASAHI KASEI MICRODEVICES CORP
Một phần mã gói: SON
Mô tả gói: VSON, FL8,.15,25
Số lượng pin: 8
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.51
Nhà sản xuất: Asahi Kasei Microsystems Corporation
Xếp hạng rủi ro: 5.77
Tần số xung nhịp tối đa (fCLK): 5 MHz
Thời gian lưu giữ dữ liệu-Min: 10
Độ bền: 100000 chu kỳ ghi / xóa
Mã JESD-30: R-PDSO-N8
Chiều dài: 3.8 mm
Mật độ bộ nhớ: 65536 bit
Bộ nhớ IC Loại: EEPROM
Chiều rộng bộ nhớ: 8
Số chức năng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 8
Số từ: 8192 từ
Mã số từ: 8000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 85 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Tổ chức: 8KX8
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: VSON
Mã tương đương gói: FL8, .15,25
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NGOÀI TRỜI NHỎ, HỒ SƠ RẤT RẤT RẤT
Song song / Nối tiếp: SERIAL
Power Nguồn cung cấp: 2 / 5 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 0.9 mm
Loại xe buýt nối tiếp: SPI
Dòng chờ-Tối đa: 8e-7 A
Danh mục con: EEPROMs
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.002 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 5.5 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 1.8 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 2.5 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: CÔNG NGHIỆP
Dạng đầu cuối: KHÔNG CÓ CHÌ
Cao độ đầu cuối: 0.65 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Chiều rộng: 3 mm
Thời gian chu kỳ ghi-Tối đa (tWC): 5 mili giây
Bảo vệ ghi: PHẦN CỨNG / PHẦN MỀM
EEPROM, 8KX8, Nối tiếp, CMOS, PDSO8, NHỰA, SON-8