#BSM50GB60DLC Infineon BSM50GB60DLC ใหม่ 2IGBT: 50A600V; โมดูล IGBT 600V 50A DUAL, รูปภาพ BSM50GB60DLC, ราคา BSM50GB60DLC, # BSM50GB60DLC ผู้จัดจำหน่าย
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM50GB60DLC
ผู้ผลิต: Infineon
ประเภทสินค้า: โมดูล IGBT
RoHS: YES
ยี่ห้อ: เทคโนโลยี Infineon
สินค้า: โมดูล IGBT Silicon
การกำหนดค่า: คู่
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: V 600
Collector-Emitter Saturation แรงดันไฟฟ้า: V 2.2
กระแสสะสมอย่างต่อเนื่องที่ 25 C: 75
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 400 นาโนเมตร
Pd - กำลังงานสูญเสีย: W 280
แพ็คเกจ / เคส: 34MM
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 125 องศาเซลเซียส
บรรจุภัณฑ์: ถาด
แรงดันไฟฟ้าประตูสูงสุด: +/- 20 โวลต์
อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 40 องศาเซลเซียส
รูปแบบการติด: สกรู
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
2IGBT: 50A600V; โมดูล IGBT 600V 50A DUAL
Shunlongwei ตรวจสอบ BSM50GB60DLC ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง BSM50GB60DLC ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน