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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM50GB60DLC
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: Modules IGBT
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Double
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 2.2 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 75
Courant de fuite porte-émetteur: 400 na
Pd - Dissipation de puissance: 280 W
Paquet / Cas: 34MM
Température de fonctionnement maximale: + 125°C
Paquet: Plateau
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
2IGBT: 50A600V; Modules IGBT 600V 50A DUAL
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