#FP25R12KE3 อินฟิเนียน FP25R12KE3 ใหม่ IGBT โมดูล 1200V 25A PIM ภาพ FP25R12KE3 ราคา FP25R12KE3 ผู้จัดจำหน่าย # FP25R12KE3
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
FP25R12KE3 FP25R12KE3
ผู้ผลิต: Infineon
ประเภทสินค้า: โมดูล IGBT
RoHS: YES
ยี่ห้อ: เทคโนโลยี Infineon
สินค้า: โมดูล IGBT Silicon
การกำหนดค่า: แม่มด
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: V 1200
Collector-Emitter Saturation แรงดันไฟฟ้า: V 1.7
กระแสสะสมอย่างต่อเนื่องที่ 25 C: 40
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 400 นาโนเมตร
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 125 องศาเซลเซียส
แพ็คเกจ / เคส: อีโคโนพิม2
บรรจุภัณฑ์: ถาด
แรงดันไฟฟ้าประตูสูงสุด: +/- 20 โวลต์
อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 40 องศาเซลเซียส
รูปแบบการติด: สกรู
Pd - กำลังงานสูญเสีย: W 150
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
โมดูล IGBT 1200V 25A PIM
Shunlongwei ตรวจสอบทุก FP25R12KE3 ก่อนจัดส่ง FP25R12KE3 ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน