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Courriel: sales@shunlongwei.com
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FP25R12KE3 FP25R12KE3
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: Modules IGBT
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Hex
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 1.7 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 40
Courant de fuite porte-émetteur: 400 na
Température de fonctionnement maximale: + 125°C
Paquet / Cas: ÉconoPIM2
Paquet: Plateau
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Pd - Dissipation de puissance: 150 W
Quantité de paquet d'usine: 10
Modules IGBT 1200V 25A PIM
Shunlongwei inspecté chaque FP25R12KE3 avant expédition, tous les FP25R12KE3 avec 6 mois de garantie.