Intrinsic ปิดรอบการระดมทุน 1.35 ล้านปอนด์

แท้จริง สารกึ่งตัวนำ Technologies ได้ประกาศปิดการระดมทุนรอบ Seed มูลค่า 1.35 ล้านปอนด์ ซึ่งนำโดยนักลงทุน UCL เทคโนโลยี กองทุนและกลุ่มทรัพย์สินทางปัญญา

การระดมทุนมีวัตถุประสงค์เพื่อช่วยให้ Intrinsic ทำลายตลาดหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนมูลค่า 60 พันล้านเหรียญโดยการร่วมมือกับ สารกึ่งตัวนำ โรงหล่อวิจัย imec ในเบลเยียมเพื่อพัฒนาต้นแบบของอุปกรณ์หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนที่เป็นกรรมสิทธิ์โดยใช้กระบวนการ 'complementary metal oxide semiconductor' (CMOS) บนเวเฟอร์ซิลิกอน 300 มม.

หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนถูกใช้ในผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์จำนวนมากและเพิ่มขึ้นเรื่อย ๆ เป็นหน่วยความจำถาวรที่ใช้ในสมาร์ทโฟนแล็ปท็อปแท่ง USB กล้องฮาร์ดไดรฟ์ SSD เป็นต้นและใช้เทคโนโลยีที่เรียกว่าหน่วยความจำ "แฟลช"

หัวใจสำคัญของเทคโนโลยีของ Intrinsic คือ 'memristor' หรือที่เรียกว่า ReRAM หรือ RRAM ซึ่งคิดค้นโดยศาสตราจารย์ Tony Kenyon และ Dr Adnan Mehonic ผู้ก่อตั้ง บริษัท ในสาขานาโนอิเล็กทรอนิกส์และวัสดุศาสตร์ ได้รับการสนับสนุนโดย UCL Business ซึ่งเป็นธุรกิจเชิงพาณิชย์พวกเขาได้ทำการวิจัยเพื่อสร้าง Intrinsic

เนื่องจากกระบวนการผลิตในปัจจุบันไม่เข้ากันจึงเป็นเรื่องยากและมีค่าใช้จ่ายสูงในการรวมเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชไว้ในชิปเซมิคอนดักเตอร์เดียวกันกับโปรเซสเซอร์ ข้อ จำกัด นี้ส่งผลกระทบอย่างรุนแรงต่อการใช้พลังงานเพิ่มต้นทุนและขัดขวางการพัฒนาแอปพลิเคชันใหม่ใน Internet of Things (IoT) และปัญญาประดิษฐ์ (AI) พื้นที่ที่ต้องการพลังงานที่ต่ำกว่าประสิทธิภาพที่มากขึ้นและความจุหน่วยความจำที่สูงขึ้น

เทคโนโลยีหน่วยความจำของ Intrinsic นั้นใช้วัสดุเดียวกันกับชิป CMOS เช่นซิลิกอนออกไซด์ซึ่งจะขจัดข้อ จำกัด ที่สำคัญออกไป

หน่วยความจำของ Intrinsic นั้นง่ายต่อการรวมเข้าด้วยกันและเร็วกว่าและประหยัดพลังงานมากกว่า Flash และจะช่วยปรับปรุงการใช้พลังงานและค่าใช้จ่ายของอุปกรณ์ในอนาคตอย่างมากซึ่งจะผลักดันผลิตภัณฑ์และบริการในชีวิตประจำวันที่หลากหลายมากขึ้น

ศาสตราจารย์ Tony Kenyon ผู้ร่วมก่อตั้ง Intrinsic และศาสตราจารย์ด้าน Nanoelectronic & Nanophotonic Materials กล่าวว่า“ เทคโนโลยีหน่วยความจำที่มีอยู่เช่น Flash กำลังถึงขีด จำกัด ของขีดความสามารถโดยเฉพาะในระบบฝังตัวเช่นที่เราต้องการในอุปกรณ์ IoT เทคโนโลยี memristor ของ Intrinsic จะเปลี่ยนระบบรุ่นต่อไปโดยการรวมประสิทธิภาพสูงเข้ากับความสะดวกในการรวมเข้ากับ CMOS ดิจิทัล ด้วยการใช้อุปกรณ์ของเรากับซิลิกอนออกไซด์เราจึงมั่นใจได้ว่าอุปกรณ์เหล่านี้มีความเรียบง่ายและราคาถูกที่จะรวมเข้ากับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ซิลิคอนเท่าที่จะเป็นไปได้