MACMIC MMD200S160B คือ IGBT (ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์เกตแบบหุ้มฉนวน) โมดูล ด้วยฟีเจอร์ แอปพลิเคชั่น และเรตติ้งสูงสุดบางประการ ต่อไปนี้คือรายละเอียดของข้อมูลที่ให้ไว้:
สิ่งอำนวยความสะดวก:
- แรงดันไปข้างหน้าต่ำ: โมดูล IGBT นี้มีแรงดันตกคร่อมต่ำเมื่อนำกระแสไฟฟ้าในทิศทางไปข้างหน้า ซึ่งช่วยลดการสูญเสียพลังงาน
- ความสามารถกระแสไฟกระชากสูง: สามารถรับมือกระแสไฟกระชากสูงได้ ซึ่งเป็นกระแสพุ่งขึ้นสั้นๆ เกินกว่ากระแสต่อเนื่องที่กำหนด
- กระแสไฟรั่วต่ำ: โมดูลมีกระแสรั่วไหลต่ำ ซึ่งหมายความว่ามีกระแสไหลน้อยที่สุดเมื่ออยู่ในสถานะปิด
- แพ็คเกจความเหนี่ยวนำต่ำ: การออกแบบบรรจุภัณฑ์ช่วยลดความเหนี่ยวนำ ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญสำหรับการสลับอย่างรวดเร็วและลดแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว
การใช้งาน:
- แหล่งจ่ายภาคสนามสำหรับมอเตอร์กระแสตรง: โมดูล IGBT นี้สามารถใช้เพื่อจ่ายพลังงานให้กับมอเตอร์กระแสตรง
- วงจรเรียงกระแสแบบเส้นสำหรับตัวควบคุมมอเตอร์กระแสสลับแบบทรานซิสเตอร์: สามารถทำหน้าที่เป็นวงจรเรียงกระแสในตัวควบคุมมอเตอร์กระแสสลับได้
- วงจรเรียงกระแสที่ไม่สามารถควบคุมได้สำหรับตัวแปลงไฟ AC/DC: ยังสามารถใช้เป็นวงจรเรียงกระแสที่ไม่สามารถควบคุมได้ในวงจรแปลงไฟ AC เป็น DC
การให้คะแนนและคุณลักษณะสูงสุด (ที่ 25°C เว้นแต่จะระบุไว้):
- แรงดันคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ (Vces): แรงดันไฟฟ้าของตัวสะสม-ตัวปล่อยสูงสุดคือ 1600V แรงดันไฟฟ้าเกินนี้อาจทำให้อุปกรณ์เสียหายได้
- แรงดันเกต-อิมิตเตอร์ (VGES): แรงดันไฟเกต-อิมิตเตอร์สามารถเป็น ±20V
- กระแสสะสม (Ic): กระแสไฟสะสมสูงสุดคือ 200A ภายใต้เงื่อนไขเหล่านี้
- ยอดนักสะสมปัจจุบัน (Icp): ทนกระแสสูงสุดสั้นๆ ได้ถึง 400A
- การกระจายพลังงานสะสม (พีซี): การกระจายพลังงานสูงสุดคือ 781W เกินกว่านี้อาจทำให้เกิดความร้อนสูงเกินไปและความเสียหายได้
- แรงดันคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ (VCES): โมดูลสามารถทนต่อแรงดันไฟฟ้าระหว่างตัวสะสมและตัวส่งสัญญาณได้สูงสุด 3000V
- อุณหภูมิทางแยกในการทำงาน (Tj): ช่วงอุณหภูมิการทำงานที่แนะนำคือสูงถึง +150°C
- อุณหภูมิในการจัดเก็บ (Tstg): ควรจัดเก็บโมดูลไว้ระหว่าง -40°C ถึง +125°C
- แรงบิดของสกรูยึด: เมื่อติดตั้งโมดูล ให้ใช้สกรู M5 ที่มีแรงบิด 3-5 N·m
- น้ำหนัก: น้ำหนักโดยทั่วไปของโมดูลนี้คือ 175 กรัม