อาจ. 15 ก.ย. 2023 /เซมิมีเดีย/ — Vishay Intertechnology, Inc. เพิ่งเปิดตัวไดโอด Schottky ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 17 V รุ่นที่ 3 ใหม่จำนวน 650 ตัว อุปกรณ์เหล่านี้รวมการออกแบบ PIN Schottky (MPS) ที่รวมความทนทานกระแสไหลเข้าสูงกับการส่งต่อต่ำ แรงดันไฟฟ้า การลดลง ประจุแบบคาปาซิทีฟ และกระแสไฟฟ้ารั่วไหลย้อนกลับ เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือในการออกแบบแหล่งจ่ายไฟสลับ
ไดโอด SiC รุ่นใหม่ที่เปิดตัวในวันนี้ประกอบด้วยอุปกรณ์ 4 A ถึง 40 A ในแพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิว TO-22OAC 2L และ TO-247AD 3L และ D2PAK 2L (TO-263AB 2L) โครงสร้าง MPS ช่วยลดแรงดันตกคร่อมไปข้างหน้าได้ 0.3 V เมื่อเทียบกับโซลูชันรุ่นก่อนหน้า ในขณะที่แรงดันตกคร่อมไปข้างหน้าคูณด้วยประจุแบบคาปาซิทีฟ ซึ่งเป็นตัวเลขสำคัญของประสิทธิภาพการใช้พลังงาน (FOM) ลดลง 17 %
กระแสไฟรั่วย้อนกลับโดยทั่วไปของไดโอดจะต่ำกว่า 30 % ที่อุณหภูมิห้อง และ 70 % ที่อุณหภูมิสูง เมื่อเทียบกับโซลูชันที่ใกล้เคียงที่สุดของคู่แข่ง ซึ่งช่วยลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าเพื่อให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพของระบบที่สูงระหว่างโหลดเบาและรอบเดินเบา อุปกรณ์ Gen 3 แตกต่างจากไดโอดแบบเร็วเป็นพิเศษตรงที่แทบไม่มีส่วนกู้คืน ซึ่งช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพให้ดียิ่งขึ้นไปอีก
เมื่อเปรียบเทียบกับไดโอดซิลิคอนที่มีแรงดันพังทลายเท่ากัน อุปกรณ์ SiC มีค่าการนำความร้อนที่สูงกว่า กระแสย้อนกลับต่ำกว่า และเวลาการกู้คืนย้อนกลับที่สั้นกว่า เวลาการกู้คืนย้อนกลับของไดโอดเกือบจะไม่ขึ้นกับอุณหภูมิ ทำให้สามารถทำงานที่อุณหภูมิสูงขึ้นถึง +175 °C โดยไม่มีการเปลี่ยนแปลงของประสิทธิภาพพลังงานที่เกิดจากการสูญเสียการสลับ
แอปพลิเคชันทั่วไปสำหรับอุปกรณ์จะรวมถึงการแก้ไขเอาต์พุตความถี่สูงพิเศษ AC/DC PFC และ DC/DC ในตัวแปลง FBPS และ LLC สำหรับการใช้งานด้านการผลิตพลังงานและการสำรวจ ให้ความน่าเชื่อถือสูง ไดโอดที่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และปราศจากฮาโลเจนได้ผ่านการทดสอบอุณหภูมิย้อนกลับไบแอส (HTRB) ที่สูงกว่าเป็นเวลา 2000 ชั่วโมง และการทดสอบวงจรอุณหภูมิของวงจรความร้อน 2000 รอบ นี่เป็นสองเท่าของชั่วโมงและรอบการทดสอบของข้อกำหนด AEC-Q101
ตัวอย่างและปริมาณการผลิตของไดโอด SiC ใหม่พร้อมจำหน่ายแล้ว โดยใช้เวลาดำเนินการแปดสัปดาห์
ดูเพิ่มเติม : โมดูล IGBT | จอแสดงผล LCD | ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์