Poderia. 15, 2023 /Semimídia/ — A Vishay Intertechnology, Inc. apresentou recentemente 17 novos diodos Schottky de carboneto de silício (SiC) de 3ª geração de 650 V. Esses dispositivos incorporam um design PIN Schottky (MPS) que combina alta robustez de corrente de irrupção com baixo avanço Voltagem queda, carga capacitiva e corrente de fuga reversa para melhorar a eficiência e a confiabilidade na comutação de projetos de fonte de alimentação.
Os diodos de SiC de última geração lançados hoje consistem em dispositivos de 4 A a 40 A nos pacotes de montagem em superfície TO-22OAC 2L e TO-247AD 3L e D2PAK 2L (TO-263AB 2L). Sua estrutura MPS reduz a queda de tensão direta em 0.3 V em comparação com as soluções da geração anterior, enquanto a queda de tensão direta vezes a carga capacitiva — um valor-chave de mérito (FOM) para eficiência de energia — é 17% menor.
A corrente de fuga reversa típica dos diodos é 30% menor em temperatura ambiente e 70% menor em alta temperatura do que a solução concorrente mais próxima. Isso reduz as perdas de condução para garantir alta eficiência do sistema durante cargas leves e marcha lenta. Ao contrário dos diodos ultrarrápidos, os dispositivos Gen 3 praticamente não têm cauda de recuperação, o que melhora ainda mais a eficiência.
Em comparação com os diodos de silício com tensão de ruptura comparável, os dispositivos SiC oferecem maior condutividade térmica, menor corrente reversa e tempos de recuperação reversa mais curtos. Os tempos de recuperação reversa dos diodos são quase independentes da temperatura, permitindo a operação em temperaturas mais altas de +175 °C sem as mudanças na eficiência de energia causadas por perdas de comutação.
As aplicações típicas para os dispositivos incluem AC/DC PFC e retificação de saída de frequência ultra alta DC/DC em conversores FBPS e LLC para geração de energia e aplicações de exploração. Oferecendo alta confiabilidade, os diodos livres de halogênio e compatíveis com RoHS passaram no teste de polarização reversa de alta temperatura (HTRB) de 2000 horas e no teste de ciclagem de temperatura de 2000 ciclos térmicos. Isso é o dobro das horas e ciclos de teste dos requisitos AEC-Q101.
Amostras e quantidades de produção dos novos diodos de SiC já estão disponíveis, com prazos de entrega de oito semanas.
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