Dòng Murata MGJ2 SMD, hiện đã có mặt tại TTI Châu Âu, được phát triển để cung cấp điện áp dương và âm được tối ưu hóa lý tưởng cho bộ điều khiển cổng cho IGBT/MOS và SiC. Với điện dung cách ly cực thấp để giảm CMTI và cắt tín hiệu trong các ứng dụng tốc độ chuyển mạch cao.
Dòng sản phẩm này có hiệu suất phóng điện cục bộ đặc trưng và CMTI> 200kV / µs và có tính năng chịu được Rào cản cách ly liên tục Vôn lên đến 2.5kV.
Thiết bị được đặc trưng cho các ứng dụng điều khiển cổng để có hiệu suất đáng tin cậy trong các ứng dụng điện áp cao. Thiết bị là một giải pháp lắp đặt bề mặt nhỏ gọn, cấu hình thấp, trọng lượng nhẹ với cách điện tăng cường 250VAC đang chờ nhận dạng UL62368-1, ES60601-1, 2 và MOPP đang chờ xử lý.
Các ứng dụng điển hình bao gồm lưu trữ năng lượng -DC / chuyển đổi AC, lưu trữ năng lượng DC thành DC công suất cao để truyền tải trên lưới điện, tối ưu hóa biến tần năng lượng mặt trời và tuabin gió.