#DDTC115ECA-7-F Điốt DDTC115ECA-7-F Lưỡng cực tín hiệu nhỏ mới Transistor, 0.02AI (C), 50V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3, DDTC115ECA-7-F hình ảnh, DDTC115ECA-7-F giá, nhà cung cấp # DDTC115ECA-7-F
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/ddtc115eca-7-f.html
-----------------------
Số bộ phận của nhà sản xuất: DDTC115ECA-7-F
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: DIODES INC
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Số lượng pin: 3
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.21.00.75
Nhà sản xuất: Diodes Incorporated
Xếp hạng rủi ro: 1.24
Tính năng bổ sung: BUILT-IN BIAS Điện trở TỶ LỆ LÀ 1
Bộ sưu tập hiện tại-Max (IC): 0.02 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 50 V
Cấu hình: DUY NHẤT CÓ TÍCH HỢP Điện trở
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 82
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: NPN
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 0.2 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Tín hiệu nhỏ Mục đích chung BIP
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Matte Tin (Sn)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Transistor lưỡng cực tín hiệu nhỏ, 0.02AI (C), 50V V (BR) CEO, 1 phần tử, NPN, Silicon, XANH LÁ, GÓI NHỰA-3
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: DIODES INC
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Số lượng pin: 3
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.21.00.75
Nhà sản xuất: Diodes Incorporated
Xếp hạng rủi ro: 1.24
Tính năng bổ sung: BUILT-IN BIAS Điện trở TỶ LỆ LÀ 1
Bộ sưu tập hiện tại-Max (IC): 0.02 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 50 V
Cấu hình: DUY NHẤT CÓ TÍCH HỢP Điện trở
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 82
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: NPN
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 0.2 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Tín hiệu nhỏ Mục đích chung BIP
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Matte Tin (Sn)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Transistor lưỡng cực tín hiệu nhỏ, 0.02AI (C), 50V V (BR) CEO, 1 phần tử, NPN, Silicon, XANH LÁ, GÓI NHỰA-3