#DD2508AKTA-6BL ELPIDA DD2508AKTA-6BL DRAM DDR mới, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, NHỰA, TSOP2-66, hình ảnh DD2508AKTA-6BL, giá DD2508AKTA-6BL, #DD2508AKTA-6BL nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/dd2508akta-6bl.html
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: EDD2508AKTA-6BLI-E
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: ELPIDA MEMORY INC
Mã phần gói: TSOP2
Mô tả gói: TSSOP,
Số lượng pin: 66
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.24
Nhà sản xuất: Elpida Memory Inc
Xếp hạng rủi ro: 5.27
Chế độ truy cập: BỐN NGÂN HÀNG TRANG BURST
Thời gian truy cập tối đa: 0.7 ns
Tính năng bổ sung: TỰ ĐỘNG / TỰ LÀM MỚI
Mã JESD-30: R-PDSO-G66
Mã JESD-609: e6
Chiều dài: 22.22 mm
Mật độ bộ nhớ: 268435456 bit
Bộ nhớ IC Loại: DDR DRAM
Chiều rộng bộ nhớ: 8
Số chức năng: 1
Số cổng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 66
Số từ: 33554432 từ
Mã số từ: 32000000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 85 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Tổ chức: 32MX8
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: TSSOP
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách đóng gói: NHỎ OUTLINE, SIN PROFILE, SHRINK PITCH
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1.2 mm
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 2.7 V
Điện áp cung cấp-Min (Vsup): 2.3 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 2.5 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: CÔNG NGHIỆP
Kết thúc nhà ga: TIN BISMUTH
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Cao độ đầu cuối: 0.65 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, NHỰA, TSOP2-66
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: ELPIDA MEMORY INC
Mã phần gói: TSOP2
Mô tả gói: TSSOP,
Số lượng pin: 66
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.24
Nhà sản xuất: Elpida Memory Inc
Xếp hạng rủi ro: 5.27
Chế độ truy cập: BỐN NGÂN HÀNG TRANG BURST
Thời gian truy cập tối đa: 0.7 ns
Tính năng bổ sung: TỰ ĐỘNG / TỰ LÀM MỚI
Mã JESD-30: R-PDSO-G66
Mã JESD-609: e6
Chiều dài: 22.22 mm
Mật độ bộ nhớ: 268435456 bit
Bộ nhớ IC Loại: DDR DRAM
Chiều rộng bộ nhớ: 8
Số chức năng: 1
Số cổng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 66
Số từ: 33554432 từ
Mã số từ: 32000000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 85 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Tổ chức: 32MX8
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: TSSOP
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách đóng gói: NHỎ OUTLINE, SIN PROFILE, SHRINK PITCH
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1.2 mm
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 2.7 V
Điện áp cung cấp-Min (Vsup): 2.3 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 2.5 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: CÔNG NGHIỆP
Kết thúc nhà ga: TIN BISMUTH
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Cao độ đầu cuối: 0.65 mm
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, NHỰA, TSOP2-66