Fuji 1DI300ZP-120-05 Còn hàng

#1DI300ZP-120-05 Fuji 1DI300ZP-120-05 Lưỡng cực công suất mới Transistor 300A I(C) 1200V V(BR)CEO 1-Element NPN Silicon Plastic/Epoxy 5 Pin, 1DI300ZP-120-05 pictures, 1DI300ZP-120-05 price, #1DI300ZP-120-05 nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com

-----------------------

Nhà sản xuất một phần số: 1DI300ZP-120-05
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: FUJI
Xếp hạng rủi ro: 5.84
Bộ sưu tập hiện tại-Max (IC): 300 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 1200 V
Cấu hình: DARLINGTON, 3 BỘ CHUYỂN GIAO VỚI DIODE TÍCH HỢP VÀ Điện trở
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 100
Thời gian rơi-Max (tf): 2000 ns
Mã JESD-30: R-PUFM-X5
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 5
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: FLANGE MOUNT
Phân cực / Loại kênh: NPN
Công suất tiêu tán xung quanh-Tối đa: 2000 W
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 2000 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Tăng thời gian-Tối đa (tr): 3000 ns
Danh mục con: Công suất mục đích chung BIP
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Dạng thiết bị đầu cuối: UNSPECIFIED
Vị trí đầu cuối: UPPER
Transistor Nguyên liệu thành phần: SILICON
Thời gian tắt tối đa (toff): 17000 ns
Thời gian bật tối đa (tấn): 3000 ns
Bóng bán dẫn lưỡng cực công suất 300A I (C) 1200V V (BR) CEO 1 phần tử NPN Silicon nhựa / Epoxy 5 chân