Nó đã công bố tính khả dụng rộng rãi của SuperQ công nghệ có thể làm giảm tổn thất điện năng. Nó tuyên bố rằng 200V mosfet sử dụng SuperQ mang lại điện trở thấp hơn 6 lần so với silicon hiện có và điện trở thấp hơn 1.6 lần so với GaN. 
Công ty cũng tuyên bố rằng các bộ biến tần điều khiển động cơ được thiết kế với công nghệ SuperQ có thể tiết kiệm tới 50% tổn thất điện năng. Công nghệ
Công ty hiện sẽ mở rộng tuyển dụng, phổ biến sản phẩm và năng lực sản xuất của Hoa Kỳ.
Để biết thêm thông tin, hãy truy cập www.idealsemi.com.
Xem thêm : Mô-đun IGBT | Màn hình LCD | Linh kiện điện tử