Infineon Technologies AG ra mắt xếp hạng hiện tại mới cho danh mục EconoDUAL™ 3 của mình với TRENCHSTOP™ IGBT7 chip. Với phạm vi rộng các loại dòng điện từ 300 A đến 900 A, danh mục này mang đến cho các nhà thiết kế biến tần mức độ linh hoạt cao đồng thời tăng mật độ nguồn và hiệu suất. Ngoài các ứng dụng năng lượng mặt trời và truyền động, danh mục sản phẩm còn được thiết kế riêng cho các phương tiện thương mại, xây dựng và nông nghiệp (CAV) cũng như các bộ biến tần cung cấp điện liên tục (UPS).
Dựa trên rãnh vi mô mới công nghệ, EconoDUAL 3 với chip TRENCHSTOP IGBT7 hoạt động với mức tổn thất tĩnh thấp hơn nhiều so với các mô-đun có chipset IGBT4. Ngoài ra, trạng thái của nó Vôn được giảm tới 30 phần trăm cho cùng một diện tích chip. Điều này giúp giảm tổn thất đáng kể trong các ứng dụng, đặc biệt là đối với các ổ đĩa công nghiệp, thường hoạt động ở tần số chuyển mạch vừa phải. Hành vi dao động và khả năng điều khiển của IGBT đã được cải thiện. Ngoài ra, các mô-đun nguồn mới có nhiệt độ mối nối quá tải tối đa là 175 ° C.
Kích thước chip mới cho phép tối ưu hóa mô-đun bố trí để giảm tổn thất chuyển mạch. Kết quả là tổn thất chuyển mạch cho mô-đun 600 A giảm tới 24% so với thế hệ trước. Điều này dẫn đến thiết kế đơn giản hóa cho các ứng dụng có tần số chuyển mạch cao hơn. Hơn nữa, tất cả các tính năng có thể được triển khai trong cùng một phạm vi, tạo điều kiện thuận lợi cho việc nâng cấp các thiết kế hệ thống biến tần hiện có. Với các phiên bản 750 A và 900 A mở rộng, gói EconoDUAL 3 giải quyết dải công suất biến tần được cải thiện. Ngoài ra, vỏ PressFIT cho phép lắp ráp nhanh chóng và tiết kiệm chi phí.
Danh mục đầu tư 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 EconoDUAL ™ 3 có thể được đặt hàng ngay bây giờ. Các biến thể với TIM được áp dụng trước cũng sẽ sớm ra mắt. Thông tin thêm có sẵn tại www.infineon.com/econodual3 và www.infineon.com/igbt7.