#L18ESD5V0C3-2 LITEON L18ESD5V0C3-2 Trans mới Vôn Diode triệt tiêu, 180W, 5V V (RWM), Một chiều, 2 phần tử, Silicon, XANH LÁ, SIÊU NHỎ, GÓI NHỰA-3, hình ảnh L18ESD5V0C3-2, giá L18ESD5V0C3-2, nhà cung cấp # L18ESD5V0C3-2
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/l18esd5v0c3-2.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: L18ESD5V0C3-2
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: LITE-ON Semiconductor CÔNG TY CỔ PHẦN
Mô tả gói hàng: R-PDSO-G3
Số lượng pin: 3
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.50
Nhà sản xuất: Lite-On Semiconductor Công ty
Xếp hạng rủi ro: 5.78
Điện áp sự cố-Tối đa: 7.2 V
Điện áp sự cố-Tối thiểu: 6.4 V
Điện áp sự cố-Nom: 6.6 V
Điện áp kẹp-Tối đa: 15 V
Cấu hình: ANODE THÔNG THƯỜNG, 2 YẾU TỐ
Điốt Nguyên liệu nguyên tố: Silic
Loại diode: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e3
Công suất tối đa không đại diện Rev Power Dis-Max: 180 W
Số phần tử: 2
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 125 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 255
Phân cực: UNIDIRECTIONAL
Công suất tiêu tán-Tối đa: 180 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Điện áp ngược Rep Pk-Tối đa: 5 V
Danh mục con: Bộ triệt tiêu tạm thời
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: AVALANCHE
Kết thúc nhà ga: MATTE TIN
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Đi-ốt bộ triệt điện áp, 180W, 5V V (RWM), Một chiều, 2 phần tử, Silicon, XANH LÁ, SIÊU NHỎ, GÓI NHỰA-3
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: LITE-ON Semiconductor CÔNG TY CỔ PHẦN
Mô tả gói hàng: R-PDSO-G3
Số lượng pin: 3
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.50
Nhà sản xuất: Lite-On Semiconductor Công ty
Xếp hạng rủi ro: 5.78
Điện áp sự cố-Tối đa: 7.2 V
Điện áp sự cố-Tối thiểu: 6.4 V
Điện áp sự cố-Nom: 6.6 V
Điện áp kẹp-Tối đa: 15 V
Cấu hình: ANODE THÔNG THƯỜNG, 2 YẾU TỐ
Điốt Nguyên liệu nguyên tố: Silic
Loại diode: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e3
Công suất tối đa không đại diện Rev Power Dis-Max: 180 W
Số phần tử: 2
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 125 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 255
Phân cực: UNIDIRECTIONAL
Công suất tiêu tán-Tối đa: 180 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Điện áp ngược Rep Pk-Tối đa: 5 V
Danh mục con: Bộ triệt tiêu tạm thời
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: AVALANCHE
Kết thúc nhà ga: MATTE TIN
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Đi-ốt bộ triệt điện áp, 180W, 5V V (RWM), Một chiều, 2 phần tử, Silicon, XANH LÁ, SIÊU NHỎ, GÓI NHỰA-3